ОДНОЕЛЕМЕНТНИЙ ПРИЙМАЛЬНИЙ ПРИСТРІЙ ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ ВИПРОМІНЮВАННЯ СУБ-ТГц/ТГц ДІАПАЗОНА НА ОСНОВІ КРЕМНІЄВОГО ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА

Автор(и)

  • I. O. Lysiuk Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • A. G. Golenkov Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • S. E. Dukhnin Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • V. P. Reva Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • A. V. Shevchik-Shekera Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • F. F. Sizov Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine https://orcid.org/0000-0003-0906-0563

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2017.3.109330

Ключові слова:

суб-ТГц, ТГц, Si-MOSFET, польовий транзистор, NEP, приймач

Анотація

В роботі розглянуто приймальний пристрій для реєстрації електромагнітного випромінювання суб-ТГц/ТГц діапазону спектра, чутливим елементом якого є кремнієвий польовий транзистор, підключений до антени затвором й витоком. Описано геометрію чутливого елементу, принцип роботи приймального пристрою, методику вимірювання чутливості і потужності еквівалентної шуму (NEP). Для приймального пристрою розроблена та виготовлена з’йомна система лінз, наведено виміряну функцію розсіяння точки на частоті джерела випромінювання 140 ГГц. На цій частоті випромінювання випробувано роботу приймального пристрою, виміряно чутливість S=2,8×105 В/Вт та потужність еквівалентну шуму NEP=4,3×10-10 Вт (Гц)-1/2

Посилання

Sizov F., Rogalsky A. THz detectors// Progress in Quantum Electronics., 34. pp. 278- 347 (2010).

D. Saeedkia (ed.), Handbook of terahertz technology for imaging, sensing and communications. Woodhead Publishing, Oxford Cambridge Philadelphia New Delhi, 662 p., (2013).

M. Sakhno, F. Sizov, A. Golenkov. Uncooled THz/sub-THz Rectifying Detectors: FET vs. SBD // Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, 34 (12), pp. 798-814 (2013).

Sub-THz radiation room temperature sensitivity of long-channel silicon field effect transistors. F. Sizov , A. Golenkov, D. But, M. Sakhno, V. Reva Optoelectronics Review 20(20)DOI: 10.2478/s11772-012-0024-z

A. G. Golenkov, F. F. Sizov. Performance limits of terahertz zero biased rectifying direct detection detection // Semiconductor Physics, Quantim Electronic & Optoelectronics. 19 (2), pp. 129-138 (2016).

M. Dyakonov, M. Shur. Plasma wave electronics: Novel terahertz devices using two dimensional electron fluid // IEEE Trans. Electron Devices, 43, pp. 1640-1645 (1996).

C. A. Balanis. Antenna Theory Analysis and Design, 3d Edition, Wiley, New Jersey, 159 р., (2005).

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-04

Номер

Том 14 № 3 (2017)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2017 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.