ДАТЧИКИ ТИСКУ: ОБ’ЄМНІ НАПІВПРОВІДНИКИ, НИТКОПОДІБНІ КРИСТАЛИ, НАНОПРОВІДНИКИ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109551Ключові слова:
тензочутливість, п’єзоопір, сенсор тиску, одновісна деформація, ниткоподібні кристали, нанопровідникиАнотація
Ми представляємо в даній роботі експериментальні результати щодо зміни симетрії в одновісно-деформованих вздовж головних кристалографічних напрямків вироджених кристалах р-Si. Показано, що в умовах зміни симетрії ефективні маси дірок також істотно змінюються особливо в області слабких одновісних деформацій, які відповідають за п’єзоефект в напівпровідниках, об’ємних кристалах, ниткоподібних напівпровідниках та у нанопровідниках.Посилання
Панков Ю.М. Пєзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію р-типу провідності і сенсори на їх основі: Дис. канд..фіз.-мат. наук, Львів,1999.- 189 с.
Коломоец В.В., Ермаков В.Н., Сусь Б.А., Родионов В.Е. Установка для создания одноосных деформаций твердых тел. Патент России № 2040785, 1995.
J.X.Cao, X.G.Gong, and R.Q,Wu, Giant piezoresistance and its origin in Si(111) nanowires: First-principles calculations // Phys. Rev. B. -75, 233302 (2007).
Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наук, М. 584с. (1972).
R.He and P.Yang, Giant piezoresistance effect in silicon nanowires. // Nature Nanotechnology 1, 42 - 46 (2006).
Milne J. S., Rowe A. C. H., Arscott S., Renner Ch. Giant Piezoresistance
Effects in Silicon Nanowires and Microwires // 105, p.226802 (2010).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2013 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
