ЗАСТОСУВАННЯ МЕТОДУ ДИНАМІЧНОГО КОНДЕНСАТОРА В НАПІВПРОВІДНИКОВІЙ СЕНСОРИЦІ

Автор(и)

  • Ю. С. Жарких Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-9884-9293
  • С. В. Лисоченко Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-5283-4336
  • О. В. Третяк Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.3.109693

Ключові слова:

напівпровідник, динамічний конденсатор, адсобція, десорбція, сенсор, поверхнева фотоерс

Анотація

У роботі розглянуто застосування методу динамічного конденсатора, для визначення зарядового стану системи діелектрик-напівпровідник. Розрахунковим шляхом встановлено, що вимірювана величина напруги на конденсаторі має простий пропорційний зв'язок із зарядом локалізованим на поверхні діелектрика. Цей розрахунковий висновок підтверджений в експериментах по контрольованому осадженню заряду на структури Si-SiO2 . Наведено приклади використання розглянутого методу для визначення величини і знака заряду, що локалізується на поверхні діелектричного шару, величини поверхневої фотоерс та умов її виникнення, а також для досліджень кінетики адсорбційно-десорбційних процесів. Показано, що метод динамічного конденсатора може бути ефективно застосований у дослідженнях по створенню нових базових елементів сенсорики і в розробках способів поліпшення характеристик джерел фотоерс. Метод дозволяє прогнозувати можливість отримання необхідних характеристик приладів вже на початкових технологічних етапах їх створення.

Посилання

V. A. Skryshevkii. Fizychni osnovy napivprovidnykovyh himichnyh sensoriv. VPC Kyivskiy universytet. Kyiv. 190 s. (2006).

Yu. S. Zharkikh, A. D. Evdokymov, Yu. G. Poltavcev. Ob ispolzovanii metoda KRP dlya issledovaniya poverhnosti poluprovodnika//

Elektronnaya tehnika, Seriya 6, Materialy. №9 (182), pp.67-71 (1983).

L. Kronik, Y. Shapira. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment and application // Surface Science Reports, 37, pp.1-206

(1999).

D. K. Schroder. Contact surface charge semiconductor characterization // Materials Science and Engineering, B 91–92, pp.196–210 (2002).

F. F. Volkenshtein. Fiziko-himiya poverhnosti poluprovodnikov. Nauka, М. 400 s. (1973).

V. G. Lytovchenko, A. P. Gorban. Osnovy phyziky mykroelectronnyh system metal – dielectric – poluprovodnik. Naukova dumka.

Kyiv. 325 s. (1978).

Yu .S. Zharkikh, V. V. Piatnitsky, O. V. Tretiak. Effect of the weak form of adsorption on the Si surface charge // Applied Surface Science, 134, pp.263–266 (1998).

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-07-07

Номер

Том 10 № 3 (2013)

Розділ

Проектування і математичне моделювання сенсорів

Ліцензія

Авторське право (c) 2013 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.