ПЕРЕХОДИ ВАЖКОЇ ДІРКИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ І МОЖЛИВОСТІ ЇХ ВИКОРИСТАННЯ В НАНОЛАЗЕРІ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2004.2.111881Ключові слова:
переходи важкої дірки, адіабатичний потенціал, квантові точки, нанолазерАнотація
Приводиться теоретичний аналіз можливості використання переходів важкої дірки між еквідистантною серією рівнів у адіабатичному потенціалі електрона в напівпровідникових квантових точках у оптичному нанолазері.Посилання
Litovchenko V.G.// Thin Sol. Films. — 1976. — 36, № 1. — P. 205-215.
Зуев В.А., Корбутяк Д.В., Курик М.В., Литовченко В.Г.// Письма в ЖЭТФ. — 1977. — 26, № 6. — С. 455-459.
Литовченко В.Г. Основы физики полупроводниковых слоистых систем. — Киев: Наукова Думка, 1980.
Екимов А.И., Онущенко А.А., Эфрос А.Л.// Письма в ЖЭТФ. — 1986. — 43, № 6. — С. 292-294.
Кулиш Н.Р., Кунец В.П., Лисица М.П.// УФЖ. — 1990. — 35, № 12. — С. 1817-1821.
Кулиш Н.Р., Кунец В.П., Лисица М.П.// УФЖ. — 1992. — 37, № 8. — С. 1141-1146.
Кулиш Н.Р., Кунец В.П., Лисица М.П.// УФЖ. — 1993. — 38, № 11. — С. 1667-1672.
Добровольский В.Н., Литовченко В.Г. Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников. — Киев: Наукова Думка, 1985.
Litovchenko V.G., Sarikov A.V., Korbutyak D.V.// Phys. Low — Dim. Struct. — 2002. — № 1/2. — P. 161-169.
Ткач Н.В. Квазічастинки у наногетеросистемах. Квантові точки та дроти. — Чернівці: Чернівецький національний університет, 2003.
Блонский И.В.// Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. — 2003. — 1, № 1 — С. 619-662.
Покутний С.И. Теория экситонов в квазинульмерных полупроводниковых системах. — Одесса: Астропринт, 2003.
Ефремов Н.А., Покутний С.И.// ФТТ. — 1985. — 27, № 1. — С. 48-56.
Ефремов Н.А., Покутний С.И.// ФТТ. — 1990. — 32, № 6. — С. 1637-1643.
Ткач Н.В., Головацький В.А.// ФТТ. — 1990. — 32, № 8. — С. 2512-2513.
Покутний С.И.// ФТП. — 1991. — 25, № 4. — С. 628-632.
Pokutnyi S.I.// Phys. Lett.A. — 1992. — 168, № 5,6. — P.433-436.
Ефремов Н.А., Покутний С.И.// ФТТ. — 1990. — 32, № 10. — С. 2921-2930.
Ефремов Н.А., Покутний С.И.// ФТТ. — 1991. — 33, № 10. — С. 2845-2851.
Pokutnyi S.I.// Phys. Stat. Sol. (b). — 1991. — 165, № 1. — P.109-118.
Pokutnyi S.I.// Phys. Stat. Sol. (b). — 1992. — 172, № 2. — P.573-582.
Покутний С.И.// ФТТ. — 1993. — 35, № 2. — С. 257-264.
Покутний С.И.// ФТП. — 1997. — 31, № 12. — С. 1443-1448.
Эфрос Ал. Л., Эфрос А.Л.// ФТП. — 1982. — 16, № 7. — С. 1209-1214.
Екимов А.И., Онущенко А.А., Райх М.Э.// ЖЭТФ. — 1986. — 90, № 5. — С.1795-1807.
Лифшиц И.М., Слезов В.В.// ЖЭТФ. — 1958. — 35, № 2. — С. 479-481.
Грабовскис В., Дзенис Я., Екимов А.// ФТТ. — 1989. — 31, № 1. — С.272-275.
Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. — Киев: Наукова Думка, 1987.
Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г.
Полупроводниковые лазеры. — М.: Наука, 1976.
Давыдов А.С. Квантовая механика. — М.: Наука, 1973.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2004 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
