ВИСОКОЯКІСНІ СЕНСОРИ ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ КРЕМНІЄВОГО p-n-ПЕРЕХОДУ

Автор(и)

  • V. M. Vassuliuk ПАТ «Укртранснафта», Ukraine
  • A. M. Lenovenko Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine
  • N. O. Kovalchuk Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.3.112546

Ключові слова:

сенсор, р-n-перехід, модель, температура

Анотація

На основі аналізу процесів в р-n-переходах серійного виробництва, доведено, що найбільше придатними для побудови сенсорів температури, здатних конкурувати з платиновими термоперетворювачами, є кремнієві р-n-переходи, технологія виробництва яких є самою досконалою в порівнянні з іншими електронними компонентами. Сформульовано критерії, яким повинні відповідати р-n-переходи для побудови високостабільних термосенсорів. Синтезована фізико-математична модель дозволяє за двома реперними точками відтворювати температурну характеристику сенсора в широкому діапазоні температур з точністю порядка 0,5 С.

Посилання

Пэт О’Нил, Карл Деррингтон. Транзисторы в качестве датчиков температуры //Электроника, 1979. — N21.

Леновенко А.М., Василюк В.М., Капітан В.І. Електронний цифровий термометр. — Патент №23648А. — 1998.

Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М.: Энергия, 1977(1963).

Akira Ohte and Michiaki Yamagata. A Precision Silicon Transistor Thermometer // IEEE, Trans. of Instrum. and Measurem. — 1977. — Vol. IM. — 26 Dec.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-23

Номер

Том 3 № 3 (2006)

Розділ

Сенсори фізичних величин

Ліцензія

Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.