ПЕРСПЕКТИВИ ВИКОРИСТАННЯ ШИРОКОЗОННИХ II-VI СПОЛУК В КОРОТКОХВИЛЬОВІЙ СЕНСОРИЦІ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2006.3.112548Ключові слова:
сенсор, випрямляючий бар’єр, дефект, легуюча домішка, люмінесценція, провідністьАнотація
Обговорюються оптоелектронні властивості і можливості практичного використання в сенсорах дифузійних шарів, які були отримані рівноважним відпалом монокристалічних підкладинок халькогенідів кадмію і цинку в парах елементів I-VI груп таблиці Менделєєва.Посилання
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Полупроводниковые фотопреобразователи для ультрафиолетовой области спектра // ФТП. — 2003. — Т.37, В.9. — С.1025-1055.
Корбутяк Д.В., Мельничук С.В., Корбут Є.В., Борисюк М.М. Телурид кадмію: домішково-дефектні стани та детекторні властивості. — Київ: Іван Федорів, 2000. — 198с.
Физика соединений AIIBVI. — М.: Наука, 1986. — 320с.
Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. — М.: Сов. радио, 1979. — 232с.
Рыжиков В.Д. Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений AIIBVI. Получение, свойства, применение. — М.: ИИИТЭХИМ, 1989. — 125с.
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. — М.: Мир, 1989. — 582с.
Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. // ФТП. — 1998. — Т.32, №1. — С.3-18.
АндреевВ.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. — М.: Сов. радио, 1975. — 328с.
Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полу- проводниковых приборов. — М.: Высш. школа, 1984. — 288с.
Чабан Ю.Я. Фізичні властивості кристалів селеніду цинку, легованих елементами I та V груп: Дис. канд. фіз. — мат. наук, 01.04.10. — Чернівці, 2000. — 150с.
Махний В.П., Мельник В.В., Собищанський Б.М. Оптоэлектронные свойства селенида цинка, легированного индием. //ФТП. — 1992. — Т.26, В.6. — С.1140-1141.
Махній В.П., Сльотов М.М., Ткаченко І.В. Спосіб отримання селеніду цинку з зеленим свіченням. Декл. патент України №66046 А від 15.04.2004.
Makhniy V.P., Slyotov O.M. Optical properties of ZnSe:Mg diffusion layers. // Ukr. J. of Phys. Optics. — 2004. — V.5, №4. — P.136-140.
Дмитриев Ю.Н., Рыжиков В.Д., Гальчинецкий Л.П. Термодинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений А2 В6. Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1990. — 135с.
Махний В.П., Слетов М.М., Демич Н.В., Слетов А.М. Особенности физических свойств ге-терослоев изовалентного замещения широкозонных II-VI соединений. // Труды межд. научн. конф. “Актуальные порблемы физики твердого тела“. — Том 1. — Минск: Изд. центр БГУ. — 2005. — С.385-387.
Махній В.П., Мельник В.В., Сльотов М.М. та ін. Вивчення механізмів дефектоутворення у шарах ZnSe:Sn. — Фізика і хімія твердого тіла. — 2004. — Т.5, №2. — С.263-265.
Махній В.П., Демич М.В. Спосіб компенсації провідності кристалів CdZnTe. // Декл. патент України №62650А від 15.12.2003.
Махній В.П., Демич М.В, Сльотов М.М. Спосіб обробки кристалів Cd1-хZnх Te // Декл. патент України №65010А від 15.03.2004.
Махний В.П., Гривул В.И. Диффузионные слои ZnTe:Sn с электронной проводимостью. // ФТП. — 2006. — Т.40, В.7. — С.794-795.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2006 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
