УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ЯВИЩА В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ – ВГОРУ»

Автор(и)

  • Ю. О. Кругляк Одеський державний екологічний університет, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-4759-2950
  • Н. Ю. Кругляк Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова, Ukraine
  • М. В. Стріха Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-2380-0305

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.1.112549

Ключові слова:

нанофізика, наноелектроніка, молекулярна електроніка, концепція «знизу-вгору», термоелектричні явища, термоелектрик, транспорт фононів, теплопровідність

Анотація

В рамках концепції «знизу–вгору» сучасної наноелектроніки розглядаються термоелектричні явища Зеєбека і Пельт’є, показники якості і оптимізація термоелектриків, балістичний та дифузійний транспорт фононів і його роль у теплопровідності.

Посилання

Кругляк Ю.О., Кругляк Н.Ю., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки: виникнення струму, формулюван-ня закону Ома і моди провідності в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics and Microsystem Technologies. – 2012. – V. 3(9), N 4. – P. 5 – 29.

Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. – Hackensack, New Jersey: WorldScientific Publishing Company. – 2012. – pp. 473.

Baheti K., Malen J.A., Doak P., Reddy P., Sung-Yeon Jang., Tilley T.D., Majumdar A., Segalman R.A. Probing the Chemistry of Molecular Heterojunctions Using Thermoelectricity // Nano Letters. – 2008. – V. 8, N 2. – P. 715 – 719.

Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. – Киев: Наукова думка, 1979. – 768 с.

Sears F.W., Salinger G.L. Thermodynamics, Kinetic Theory, and Statistical Thermodynamics. – Boston: Addison-Wesley. – 1975. – pp. 331 – 336, 355 – 361.

Kubo R. Statistical-Mechanical Theory of Irreversible Processes.I. General Theory and Simple Applications to Magnetic and Conduction Problems // J.Phys.Soc. Japan. – 1957. – V. 12. – P. 570 – 586.

Onsager L. Reciprocal Relations in Irreversible Processes. I // Phys. Rev. – 1931. – V. 37, N 4. – P. 405 – 426.

Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела, тома 1 и 2. – М: Мир. – 1979.

Hopkins Patrick E., Duda John C., Norris Pamela M. Anharmonic Phonon Interactions at Interfaces and Contributions to Thermal Boundary Conductance // J. Heat Transfer. – 2011. – V. 133. – P. 062401/1 – 11.

Chen G. Thermal conductivity and ballistic-phonon transport in the cross-plane direction of superlattices // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 57. – P. 14958 – 14973.

Chiu H.-Y., Deshpande V. V., Postma H. W. Ch., Lau C. N., Mikó C., Forró L., Bockrath M. Ballistic Phonon Thermal Transport in Multi-Walled Carbon Nanotubes // Phys. Rev. Letts. – 2005. – V. 95. – P. 226101.

Zuckerman Neil, Lukes Jennifer R. Atomistic Visualization of ballistic phonon transport // Proceedings of ASME-JSME Thermal Engineering Summer Heat Transfer Conference, Vancouver, Canada. – 2007. – N. 32674. – P. 825 – 833.

Nolas G. S., Morelli D.T., Tritt Terry M. SKUTTERUDITES: A Phonon-Glass-Electron Crystal Approach to Advanced Thermoelectric Energy Conversion Applications // Ann. Rev. Mater. Sci. – 1999. – V. 29. – P. 89 – 116.

Min Gao, Rowe D.M. A serious limitation to the phonon glass electron crystal (PGEC) approach to improved thermoelectric materials // J. Mater. Sci. Lett. – 1999. – V. 18, N 16. – P. 1305 – 1306.

Новоселов К.С. Графен: материалы Флатландии (Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря 2010 г.) // УФН. – 2011. – Т. 181, №12. – С. 1299 – 1311.

Варламов А.Ф., Кавокин А.В., Лукьянчук И.А., Шарапов С.Г. Аномальные термоэлектрические и термомагнитные свойства графена // УФН. – 2012. – Т. 182, № 11. – С.1229 – 1234.

Sidorov А.N., Sherehiy A., Jayasing-he R., Stallard R., Benjamin D.K., Qingkai Yu., Zhihong Liu, Wei Wu, Helin Cao, Yong P. Chen, Zhigang Jiang, Sumanasekera G.U. Thermoelectric power of graphene as surface charge doping indicator // Appl. Phys. Lett. – 2011. – V. 99, N 1. – P. 013115/1 – 3.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-02-23

Номер

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори