ІНФРАЧЕРВОНІ СЕНСОРИ НА ОСНОВІ БАГАТОКОМПОНЕНТНИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ ХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ-ОЛОВА

А. І. Ткачук, В. В. Тетьоркін, О. М. Царенко, С. І. Рябець, Ю. Г. Ковальов

Анотація


Методами рідинної епітаксії та термічного вакуумного напилення сформовані лінійки фотовольтаїчних інфрачервоних сенсорів на основі поверхнево-бар’єрних структур -шар/(KCl, )/Al(Pb) і Pb/ -шар/ . При температурі вимірювань 80 170 К, піковій довжині хвилі 8 12,2 мкм та довжині хвилі відсічки 8,3 12,8 мкм вони мали добуток диференціального опору при нульовому зміщенні на активну площу = 0,18 2,72 Ом·cм2, пікову квантову ефективність =0,28 0,52 та питому виявну здатність (0,61 4,51) 1010 см·Гц1/2·Вт-1.


Ключові слова


халькогеніди свинцю-олова; рідинна епітаксія; поверхнево-бар’єрні структури; тонкий проміжний шар окислу

Повний текст:

PDF

Посилання


Piotrowski J. and Rogalski A., High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors. – SPIE Press, Bellingham, Washington USA. – 2007.

– 240 p.

Rogalski A., Infrared detectors: status and trends // Progress in Quantum Electronics. – 2003. – Vol. 27. – P. 59–210.

Rogalski A., Ciupa R., PbSnTe photodiodes: theoretical predictions and experimental data // Opto-Electronics Review. – 1997. – Vol. 5, № 1. – P. 21–29.

Zogg H., Alchalabi K., Zimin D., Lead chalcogenide on silicon infrared focal plane arrays for thermal imaging // Defence Science Journal. – 2001. – Vol. 51, № 1. – P. 53-65.

Zogg H., Arnold M., Zimin D., Alchalabi K., Kellermann K. Lead chalcogenide IR-emitters and detectors on Si-substrates // Moldavian

Journal of the Physical Sciences. – 2006. – Vol. 5, № 1. – P. 88-96.

Chao I., McCann P.J., Yuan W., O’Rear E.A., Yuan S., Growth and characterization of IVVI semiconductor heterostructures on (100)

BaF2 // Thin Solid Films. – 1998. – Vol. 323. – P. 126-135.

Sachar H.K., Chao I., McCann P.J., Fang X.M., Growth and characterization of PbSe and Pb1-xSnxSe on Si(100) // Journal of Applied

Physics. – 1999. – Vol. 85, № 10. – P. 7398- 7403.

Pashaev A.M., Davarashvili O.I., Aliyev V.A., Enukashvili M.I., Zlomanov V.P., Kamushadze T.D., Mirianashvili Sh.M., Crystals of lead

chalcogenides and solid solutions on their basis // Georgia Chemical Journal. – 2009. – Vol. 9, № 1. – P. 1-3.

Tsarenko O.N., Ryabets S.I., Tkachuk A.I., Properties of the Pb1-xSnxTe1-ySey epitaxial layers grown from the supersaturated meltsolution on dielectric and semiconductor substrates // Functional Materials. – 2005. – Vol. 12, № 3. – P. 526-530.

Ткачук А.И., Царенко О.Н., Рябец С.И., Ткачук И.Ю., Ковалёв Ю.Г., Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырёхкомпонентных твёрдых растворов А4В6 // журнал «Технология и конструирование в электронной аппаратуре». – 2007.

– № 1 (67). – С. 42-44.

Царенко О.М., Ткачук А.І. Особливості формування та властивості діодів Шотткі на основі твердих розчинів сполук А4В6 (огляд)// Наукові записки КДПУ. Сер. фіз.-мат. науки. – 2002. – Вип. 43. – С. 122-138.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.1.112779

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)