ІНФРАЧЕРВОНІ СЕНСОРИ НА ОСНОВІ БАГАТОКОМПОНЕНТНИХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ ХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ-ОЛОВА
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.1.112779Ключові слова:
халькогеніди свинцю-олова, рідинна епітаксія, поверхнево-бар’єрні структури, тонкий проміжний шар окислуАнотація
Методами рідинної епітаксії та термічного вакуумного напилення сформовані лінійки фотовольтаїчних інфрачервоних сенсорів на основі поверхнево-бар’єрних структур -шар/(KCl, )/Al(Pb) і Pb/ -шар/ . При температурі вимірювань 80 170 К, піковій довжині хвилі 8 12,2 мкм та довжині хвилі відсічки 8,3 12,8 мкм вони мали добуток диференціального опору при нульовому зміщенні на активну площу = 0,18 2,72 Ом·cм2, пікову квантову ефективність =0,28 0,52 та питому виявну здатність (0,61 4,51) 1010 см·Гц1/2·Вт-1.
Посилання
Piotrowski J. and Rogalski A., High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors. – SPIE Press, Bellingham, Washington USA. – 2007.
– 240 p.
Rogalski A., Infrared detectors: status and trends // Progress in Quantum Electronics. – 2003. – Vol. 27. – P. 59–210.
Rogalski A., Ciupa R., PbSnTe photodiodes: theoretical predictions and experimental data // Opto-Electronics Review. – 1997. – Vol. 5, № 1. – P. 21–29.
Zogg H., Alchalabi K., Zimin D., Lead chalcogenide on silicon infrared focal plane arrays for thermal imaging // Defence Science Journal. – 2001. – Vol. 51, № 1. – P. 53-65.
Zogg H., Arnold M., Zimin D., Alchalabi K., Kellermann K. Lead chalcogenide IR-emitters and detectors on Si-substrates // Moldavian
Journal of the Physical Sciences. – 2006. – Vol. 5, № 1. – P. 88-96.
Chao I., McCann P.J., Yuan W., O’Rear E.A., Yuan S., Growth and characterization of IVVI semiconductor heterostructures on (100)
BaF2 // Thin Solid Films. – 1998. – Vol. 323. – P. 126-135.
Sachar H.K., Chao I., McCann P.J., Fang X.M., Growth and characterization of PbSe and Pb1-xSnxSe on Si(100) // Journal of Applied
Physics. – 1999. – Vol. 85, № 10. – P. 7398- 7403.
Pashaev A.M., Davarashvili O.I., Aliyev V.A., Enukashvili M.I., Zlomanov V.P., Kamushadze T.D., Mirianashvili Sh.M., Crystals of lead
chalcogenides and solid solutions on their basis // Georgia Chemical Journal. – 2009. – Vol. 9, № 1. – P. 1-3.
Tsarenko O.N., Ryabets S.I., Tkachuk A.I., Properties of the Pb1-xSnxTe1-ySey epitaxial layers grown from the supersaturated meltsolution on dielectric and semiconductor substrates // Functional Materials. – 2005. – Vol. 12, № 3. – P. 526-530.
Ткачук А.И., Царенко О.Н., Рябец С.И., Ткачук И.Ю., Ковалёв Ю.Г., Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырёхкомпонентных твёрдых растворов А4В6 // журнал «Технология и конструирование в электронной аппаратуре». – 2007.
– № 1 (67). – С. 42-44.
Царенко О.М., Ткачук А.І. Особливості формування та властивості діодів Шотткі на основі твердих розчинів сполук А4В6 (огляд)// Наукові записки КДПУ. Сер. фіз.-мат. науки. – 2002. – Вип. 43. – С. 122-138.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
