ВПЛИВ ІНВЕРСІЇ ( ) ТИПУ АБСОЛЮТНОГО МІНІМУМУ В НА ЕФЕКТ ЕКРАНУВАННЯ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.2.113427Ключові слова:
радіус екранування, екрануючий множник, одновісна деформація, ефективна маса густини станівАнотація
Обчислено радіус екранування для та - мінімумів зони провідності кристалів
з різною концентрацією домішки. Отримано залежності екрануючого множника від концентрації домішки для відповідних мінімумів. Показано, що інверсія типу абсолютного мінімуму зони провідності, яка обумовлена одновісним деформуванням ( 2,8 ГПа) вздовж кристалографічного напряму [100], змінює як радіус екранування, так і екрануючий множник. Чутливість даних параметрів при переході від недеформованих до сильно деформованих кристалів пояснюється різним значенням ефективної маси густини станів для та - мінімумів.
Посилання
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1977. – 688 c.
Чуйко Г.П., Концентрационная зависимость дебаевской длины экранирования в сильно вырожденном Cd3As2. Теория и опыт // ФТП.
– 1985. – Т.19, №11. – С. 2075-2077.
Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. - М.: Наука, 1967. – 416с.
Григорьев В.К., Казанцев О.И., Мурыгин В.И., Рубин В.С., Стафеев В.И., Длина экранирования статического поля в компенсированных полупроводниках и ее влияние на подвижность // ФТП. – 1969. –
Т.3, №12. – С. 1861-1864.
Пенин Н.А., О длине экранирования в примесном полупроводнике // ФТП. –1983. – Т.17, №3. – С. 431-436.
Буджак Я.С., Екранування домішкових атомів носіями струму та його вплив на властивості кристалів // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т.5, №1. – С. 77 – 80.
Leman S. W., Hertel S. A., Kim P., Cabrera B., Do Couto E Silva E., Figueroa-Feliciano E., McCarthy K. A., Resch R., Sadoulet B. and
Sundqvist K. M., Comparison of CDMS [100] and [111] Oriented Germanium Detectors // Journal of Low Temperature Physics, - 2012. –
Volume 166, DOI: 10.1007/s10909-011-0427-0.
Phipps A., Sundqvist K. M., Lam A. and Sadoulet B., Optically Induced Measurement of Electron and Hole Drift Velocities in a Germanium [100]
CDMS Detector at 50 mK // Journal of Low Temperature Physics. – 2011. - Volume 165, DOI: 10.1007/s10909-012-0472-3.
Broniatowski A., Carrier Anisotropy and Impurity Scattering in Ge at mK Temperatures: Modeling and Comparison to Experiment // Journal of Low
Temperature Physics. – 2012.- Volume 166, DOI: 10.1007/s10909-012-0543-5.
Kobayashi M., Irisawa T., Magyari-Kope B., Saraswat K., Wong H.-S.P., Nishi Y. Uniaxial Stress Engineering for High-Performance Ge NMOSFETs. - Electron Devices .-2010, Volume 57, Issue 5, p. 1037 – 1046.
Kobayashi M., Irisawa T., Kope B.M., Yun Sun, Saraswat K., Wong H. -S.P., Pianetta, P., Nishi Y. High quality GeO2/Ge interface formed by SPA
radical oxidation and uniaxial stress engineering for high performance Ge NMOSFETs.- VLSI Technology, 16-18 June 2009, p. 76 - 77
Choi Youn Sung, Lim Ji-Song, Numata Toshinori, Nishida Toshikazu, Thompson Scott E., Mechanical stress altered electron gate tunneling current and extraction of conduction band deformation potentials for germanium // Journal of Applied Physics. – 2007. – Volume 102, Issue 10, p. 104507 - 104507-5.
Murphy-Armando F. and Fahy S., Giant enhancement of n-type carrier mobility in highly strained germanium nanostructures // Journal of Applied Physics. – 2011. – Volume 109, Issue 11, p. 113703
– 113703-5.
Луньов С.В., Назарчук П.Ф., Панасюк Л.І. Про параметри мінімумів в n-Ge// Тези доповідей V Української наукової конференції з фізики напівпровідників. УАКФН 5. Ужгород. – 2011. – С. 249.
Журкин Б.Г., Земсков В.С., Юркина К.В., Холловская подвижность электронов в сильно легированном германии n–типа // ФТТ. – 1961.
– Т.3, №11. – С. 3509 -3513.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
