ЕКСИТОННИЙ СПЕКТР ШЕСТИГРАННОЇ НАНОТРУБКИ, ЯК НАНОСЕНСОРНОГО ЕЛЕМЕНТА
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.2.113441Ключові слова:
шестигранна нанотрубка, квантовий дріт, екситонний спектрАнотація
Методом Бете і функцій Гріна побудована теорія екситонного спектра у складній шестигранній нанотрубці з урахуванням екситон-фононної взаємодії. Теорія базується на моделі ефективних мас і прямокутних потенціалів для екситонних електрона і дірки та моделі діелектричного континууму для інтерфейсних і обмежених фононів.
На прикладі шестигранної нанотрубки на основі напівпровідників і показано,
що теоретичні значення енергій та інтенсивностей квантових переходів узгоджуються з експериментальними вимірами.
Посилання
F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, A.R. Kovsh, V. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Electronic Properties of InAs/GaAs Quantum
Dots Covered by an InxGa1–xAs Quantum Well // Phys. Stat. Sol. (b).-2001.-V. 224.-P. 61-65.
G.Schlegel, J. Bohnenberger, I. Potapova, and Alf Mews, Fluorescence Decay Time of Single Semiconductor Nanocrystals // Phys. Rev. Lett.-2002.- V. 88.- 137401 (4 pages).
F. Koberling, A. Mews, and T. Basch , Single-dot spectroscopy of CdS nanocrystals and CdS/HgS heterostructures // Phys. Rev. B.-1999.-V. 60.-P. 1921-1927.
E.A. Muljarov, E. A. Zhukov, V.S. Dneprovskii, Yasuaki Masumoto, Dielectrically enhanced excitons in semiconductor-insulator quantum wires: Theory and experiment. // Phys.Rev. B.-2000.-V. 62.-P.7420-7432 (2000).
A.F. Slachmuylders, B. Partoens, W. Magnus and F.M. Peeters, Exciton states in cylindrical nanowires // J. Phys.: Condens. Matter.-2006.-V.
-P.3951-3966.
Tkach M., Holovatsky V., Voitsekhivska O., Mykhalyova M., Fartushynsky R., Electron–Phonon Interaction in Semiconductor Spherical Quantum
Dot Embedded in a Semiconductor Medium (HgS/CdS) // Phys. Stat. Sol.-2001.-V. 225.-P.331-342.
N.V. Tkach and V.A. Golovatskii, Quasistationary states of electrons and holes in an open composite cylindrical quantum wire // Phys. Sol. State.-2001.-V. 43, P.365-372.
M. Heigoldt, J. Arbiol, D Spirkoska, et. al., Long range epitaxial growth of prismatic heterostructures on the facets of catalyst-free GaAs nanowires // J. Mater. Chem.-2009.-V. 19.-P.840–848.
A. Fontcuberta i Morral, D. Spirkoska, J. Arbiol, et.al., Prismatic quantum heterostructures synthesized on molecular-beam epitaxy GaAs nanowires // Small.-2008.-V. 4.-P.899–903.
В.Г.Дубровский, Г.Э.Цырлин, В.М.Устинов, Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения // ФТП.-2009.-Т. 43.-С. 1585-1629.
H.A. Bethe, E.E. Salpeter, Quantum mechanics of one- and two-electron atoms.- New York: Plenum Publishing Corp., 1977 .-382 p.
John H. Davies, The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction.- New York: Cambridge University Press, 1998.- 438 p.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
