ОСОБЛИВОСТІ ДІЇ НИЗЬКОДОЗНОГО ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА СТАБІЛЬНІСТЬ КРЕМНІЄВИХ ДІОДНИХ СЕНСОРІВ ТЕМПЕРАТУРИ

Автор(и)

  • B. V. Pavlyk Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine
  • I. V. Garapyn Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine
  • V. M. Zlupko Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113549

Ключові слова:

температурний сенсор, p-n перехід, радіаційна стійкість

Анотація


Встановлено закономірності дії іонізуючого високоенергетичного гама-опромінення (Со60) на стабільність параметрів температурних сенсорів, виготовлених на базі p-n переходів кремнієвих транзисторів із низьколегованою базою. Опромінення датчиків здійснювали при кімнатній температурі γ-квантами (Со60, потужність дози випромінювання 0,5 Гр/с) дозами 10…104 Гр. Одержані експериментальні дані свідчать, що при γ-опроміненні дозами ≤5. 102 Гр температурна характеристика сенсора стабілізується в часі і не зміщується при повторному опроміненні. Зроблено висновок, що мінімальні радіаційні зміни спостерігаються в p-n структурах з тонкою базою, що свідчить про радіаційну стійкість досліджуваних сенсорів.

Посилання

Винецкий В.Л., Холодарь Г.А., Радиационная физика полупроводников. – К.: Наукова думка, 1979. — 336 с.

Хіврич В.І., Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсори радіації на цій основі: Автореф. дис. докт. фіз. — мат. наук, 01.04.10. — Одеса., 2006. — 40 с.

Pavlyk B.V., Lyshak M.V., On the model of radiationinduced ordering of the defect structure in CdS crystals // Ukr. J. of Phys. — 2006. — Vol.51, №3. — P. 275-279.

Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Литовченко В.Г., Мищук О.Н., К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках АІІІBV // Физ. и техн. полупр. — 1989. — Т.23, Вып.2. — С. 2007-2012.

Патент №23648А. МКИ G 01 K 7/02. Леновенко А.М., Василюк В.М., Капітан В.І., Електронний цифровий термометр. —Заявл. 29.11.96; Опубл. 02.06.1998. — 3 с.

Shwarts Yu.M., Borblik V.L., Kulish N.R. et al., Radiation-resistant silicon diode temperature sensors// Sensors and Actuators A., Physical. — 2002. — Vol.97-98. — P. 271-279.

##submission.downloads##

Опубліковано

2007-05-29

Номер

Том 4 № 2 (2007)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.