ДО ПИТАННЯ ПРО ВИЗНАЧЕННЯ ПОПЕРЕЧНОГО ПЕРЕРІЗУ ЗАХОПЛЕННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ МЕТОДОМ DLTS
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.1.114041Ключові слова:
DLTS, переріз захоплення, DLTS спектрометрАнотація
На підставі аналізу способів визначення термічного поперечного перерізу захоплення дефектом носіїв заряду зі спектрів DLTS розкриті можливі причини суттєвих похибок при визначенні даного параметра. Окреслено межі застосовності кожного зі способів за рядом критеріїв — характеристики досліджуваної напівпровідникової структури, термічна залежність поперечного перерізу захоплення, тощо. Сформульовано вимоги до апаратної частини та запропоновано схему DLTS спектрометра, здатного реалізувати один з прямих способів визначення поперечного перерізу захоплення носіїв.Посилання
Lang D.V., Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. — 1974. — V.45. — №7 — P. 3023- 3032.
Lang D.V., Fast capacitance transient apparatus // J. Appl. Phys. — 1974. — V.45. — №7 — P. 3014-3022.
Dobaczewski L., Peaker A. R., Nielsen K.B., Laplacetransform deep-level spectroscopy: the technique and its applications to the study of point defects in semiconductors // J. Appl. Phys. — 2004. — V.96. — №9. — P. 4689-4728.
Palma A., Jimenez-Tejada J. A., Banqueri J., Cartujo P., Carceller J. E., Accurate determination of majority thermal-capture cross sections of deep impurities in p-n junctions // J. Appl. Phys. — 1993. — V74. — №4. — P. 2605-2612.
Lang D.V., Henry C.H., Nonradiative recombination at deep levels in GaAs and GaP by lattice-relaxation multiphonon emission // Phys. Rev. Lett. — 1975. — V35. — №22, P. 1525-1528.
Henry C.H., Lang D.V., Nonradiative capture and recombination by multiphonon emission in GaAs and GaP // Phys. Rev. B. — 1977. — V15. — №2. — P. 989-1016.
Бургуэн Ж., Ланно М., Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. — М.: Мир, 1985. — 304с.
Goguenheim D., Lannoo M., Theoretical and experimental aspects of the thermal dependence of electron capture coefficients // J. Appl. Phys. — 1990. — V68. — №3. — P. 1059-1069.
Bourgoin J. C., von Bardeleben H. J., Stievenard D., Native defects in gallium arsenide. J. Appl. Phys. — 1988. — V64. — №9, P. R65-R92.
Ланно М., Бургуэн Ж., Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. — М.: Мир, 1984. — 264с.
Pons D., Accurate determination of the free carrier capture kinetics of deep traps by space-charge methods // J. Appl. Phys. — 1984. — V55. — №10. — P. 3644-3656.
Reddy C.V., Fung S., Beling C.D., Inexpensive circuit for the measurement of capture cross section of deeplevel defects in semiconductors // Rev. Sci. Instrum. — 1996. — V67. — №12, P.4279-4281.
Borsuk J.A., Swanson R.M., Capture-cross-section determination by transient-current trap-filling experiments // J. Appl. Phys. — 1981. — V52. — №11, P. 6704-6712.
Stievenard D., Bourgoin J.C., Lannoo M., An easy method to determine carrier-capture cross sections: Application to GaAs // J. Appl. Phys. — 1984. -V55. — №6. — P. 1477-1481.
Kimerling L.C., Influence of deep traps on the measurement of free-carrier distributions in semiconductors by junction capacitance techniques // J. Appl. Phys. — 1974. — V45. — №4. — P. 1839-1845.
Бойко Ю.В., Грязнов Д.Б., Деркач І.О., Третяк О. В., Принцип побудови DLTS-спектрометра з компенсацією постійної складової ємності та провідності на етапі перемноження з опорним сигналом // Вісник Київського університету, Серія: фізико-математичні науки. — 2006. — №3. — С. 315-324.
AC bridge circuits [електронний ресурс] — Режим доступу: http://www.allaboutcircuits.com/vol_2/chpt_12/5.html , вільний. — Зміст з екрану.
Tadic N., Gobovic D., Self-balancing linear bridge circuits with resistive mirrors for resistance measurement // IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. — 2000. — V49. — №6. — P.1318 —
Фомин Н.И., Буга Н.Н., Головин О.В. и др., Радиоприемные устройства: Учебник для вузов. — М.: Радио и связь. — 1996. — 512 с.
NI Multisim User Manual [електронний ресурс] — Режим доступу: http://www.ni.com/pdf/manuals/374483d.pdf, вільний. — Зміст з екрану.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
