УЛЬТРАФІОЛЕТОВІ ФОТОДІОДИ: ВПЛИВ РІВНЯ ЛЕГУВАННЯ АЗОТОМ НА ФОТОЧУТЛИВІСТЬ ПЛІВОК ZnO
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114088Ключові слова:
плівка ZnO, легування азотом, пошаровий ріст, структурна досконалість, фотодіод, фоточутливістьАнотація
Для виготовлення фотодіодних структур застосовували леговані азотом (з різною концентрацією) плівки ZnO, осаджені на Si підкладки n-типу провідності методом високочастотного магнетронного розпилення з використанням процедури пошарового росту. Методами ренгенофазового аналізу та скануючої електронної мікроскопії досліджено вплив легування азотом на структуру одержаних плівок. Створені на їх основі структури Ni/ZnO:N/Si продемонстрували коефіцієнт випрямлення ~ 100 (при зміщенні 1 В). Досліджено та обговорено спектри фоточутливості структур при різних напругах зміщення. Показано, що фоточутливість структур Ni/ZnO:N/Si в ультрафіолетовій області спектру збільшується від 0,6 до 2,4 мА/Вт зі збільшенням рівня легування азотом оксиду цинку (від 0,47 до 0,87 ваг. %).Посилання
А. І. Євтушенко, Г. В. Лашкарьов, В. Й. Лазоренко, В. А. Карпина, В. Д. Храновський ZnOдетектори ультрафіолетового випромінювання. Огляд // ФХТТ. — 2008. — Т.9, № 6. — С. 869-882.
R. H. Bube Photoconductivity of Solids. — New York, London:1960. — 559 p.
А. І. Євтушенко, Г. В. Лашкарьов, В. Й. Лазоренко, В. А. Карпина, В. Д. Храновський, Л. А. Косяченко, В. М. Склярчук, О. Ф. Склярчук Детектор ультрафіолетового випромінювання на основі ZnO, легованого азотом // СЕМСТ. — 2008. — №3. — С.40-44.
A. Ievtushenko, V. Karpyna, G. Lashkarev, V. Lazorenko, V. Baturin, A. Karpenko, M. Lunika, A. Dan’ko Multilayered ZnO Films of Improved Quality Deposited by Magnetron Sputtering // Acta Physica Polonica A. — 2008. — Vol.114, №5. — Р. 1131-1137.
А. І. Євтушенко, В. Д. Храновський, Г. В. Лашкарьов, О. І. Биков, В. Й. Лазоренко, В. А. Карпина, Л. О. Клочков, В. А. Батурин, О. Ю. Карпенко, М. М. Луніка Структура та морфологія плівок ZnO, осаджених на підкладинки Si3N4/Si методом ВЧ магнетронного розпилення // Металоф ізика та новітні технології. Спецвипуск. — 2008. — Т.30. — С. 631-641.
A. V. Singh, R. M. Mehra, A. Wakahara, A. Yoshida p-type conduction in codoped ZnO thin films // Appl. Phys. — 2003. — Vol. 93, №1. — P. 396-399.
S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, T. Steiner Recent advances in processing of ZnO // J. Vac. Sci. Technol. B. — 2004. — Vol. 22, № 3. — P. 932-948.
Xiangping Li et al. Study on the luminescence properties of n-ZnO/p-Si hetero-junction diode grown by MOCVD // Phys. D: Appl. Phys. D. — 2008. — Vol. 41. — Р. 035101 (5 pp).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
