ФІЗИЧНА МОДЕЛЬ ПРОЦЕСУ РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНОГО ВПОРЯДКУВАННЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КРИСТАЛІВ

Автор(и)

  • B. V. Pavlyk Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine
  • B. Z. Tsybulyak Львівський державний університет безпеки життєдіяльності, Ukraine
  • M. V. Lyshak Львівський національний університет імені Івана Франка, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114149

Ключові слова:

СdS, дефект, радіація, впорядкування, дифузія

Анотація

Досліджено вплив іонізуючого опромінення на зміни електрофізичних характеристик приповерхневого шару та об’єму кристалів CdS. Встановлено, що під дією Х-променів в сульфіді кадмію одночасно відбувається низка процесів перебудови системи дефектів кристала, ефективність яких залежить від температури, інтенсивності опромінення, величини поглинутої дози. Максимальна ефективність радіаційно-стимульованого впорядкування досягається при D=0,20 Кл/кг. Запропонована фізична модель процесів радіаційно-індукованого впорядкування дефектної структури кристалів CdS.

Посилання

Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Литовченко В. Г., К модели эффекта радиационно-стимулированого упорядочения в полупроводниках А3 В5 // Физика и техника полупроводников. — 1989. — Т.23, В.2. — С.207-212.

Павлик Б., Цибуляк Б., Клочан О., Радіаційно-індуковане поліпшення електрофізичних параметрів кристалів CdS та поверхнево-бар’єрних структур на їх основі // Вісник Львівського. ун-ту, сер. фіз. — 2000. — В.33. — С. 139-143.

Болотов В.В., Коротченко В.А., Мамонтов А.П. и др., Радиационные дефекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. — 1980. — Т.14, В.11. — С.2257-2260.

Корсунская Н.Е., Торчинская Т.В., Маркевич И. В. и др., Стимулированая УФ-облучением диффузия дефектов в CdS// Украинский физический журнал. — 1983. — Т.26, В.7. — С.851-854.

Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В. и др., Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования баръерных структур металл-арсенид галия с текстурированной границей раздела // Журнал технической физики. — 2002. — Т.72, В.6. — С.44-49.

Физика соединений А2 В6 / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. — М.: Наука, 1988. —320 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2007-11-13

Номер

Том 4 № 4 (2007)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.