DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114149
ФІЗИЧНА МОДЕЛЬ ПРОЦЕСУ РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНОГО ВПОРЯДКУВАННЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КРИСТАЛІВ
Анотація
Ключові слова
Повний текст:
PDFПосилання
Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Литовченко В. Г., К модели эффекта радиационно-стимулированого упорядочения в полупроводниках А3 В5 // Физика и техника полупроводников. — 1989. — Т.23, В.2. — С.207-212.
Павлик Б., Цибуляк Б., Клочан О., Радіаційно-індуковане поліпшення електрофізичних параметрів кристалів CdS та поверхнево-бар’єрних структур на їх основі // Вісник Львівського. ун-ту, сер. фіз. — 2000. — В.33. — С. 139-143.
Болотов В.В., Коротченко В.А., Мамонтов А.П. и др., Радиационные дефекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. — 1980. — Т.14, В.11. — С.2257-2260.
Корсунская Н.Е., Торчинская Т.В., Маркевич И. В. и др., Стимулированая УФ-облучением диффузия дефектов в CdS// Украинский физический журнал. — 1983. — Т.26, В.7. — С.851-854.
Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В. и др., Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования баръерных структур металл-арсенид галия с текстурированной границей раздела // Журнал технической физики. — 2002. — Т.72, В.6. — С.44-49.
Физика соединений А2 В6 / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. — М.: Наука, 1988. —320 с.
Copyright (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)