ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ InI ПІД ТИСКОМ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114176Ключові слова:
шаруватий кристал, зонно-енергетична діаграма, фазовий перехід, хімія високого тискуАнотація
На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей монокристалів InI у широкому діапазоні зміни зовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової 5s2 електронної пари іона In+ у формуванні структури та стабілізації сполук, що містять катіони із зниженою валентністю. Визначено значення граничного тиску фазового переходу InI у високосиметричний структурний тип CsCl. Встановлено, що перед структурним переходом відбувається перехід напівпровідник-метал. Після структурного переходу сполука залишається надалі квазіодномірним металом.Посилання
Staffel T., Meyer G. // Z. Anorg. Allg. Chem. — 1989. — 574. — P.114-118.
Kolinko M.I.// J. Phys.: Condens. Matter. — 1994. — 6, ¹1. — P.167-172.
Колінько М.І., Бовгира О.В.// УФЖ. — 2001. — 46, №7. — С. 707-719.
Vanderbilt D. // Phys. Rev. B. — 1990. — 41, ¹.11. — P.7892-7895.
Cohen R. E., Gulseren O., Hemley R. J. // Amer. Mineralogist. — 2000. — 85. — P. 338-344.
Beck H.P., Lederer G. // Z. Anorg. Allg. Chem. — 1993. — 619. — P.897-902.
Vorst C.P.J.M., Basten J.A.J. // J. Solid. State Chem. — 1981. — 37. — P.171-180.
Dyke J.P. van, Samara G.A. // Phys.Rev. B. — 1975. — 11. — P. 4935-4944.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
