ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ InI ПІД ТИСКОМ

Автор(и)

  • A. V. Franiv Львівський національний університет імені Івана Франка
  • O. V. Bovgyra Львівський національний університет імені Івана Франка
  • O. V. Bovgyra Львівський національний університет імені Івана Франка
  • O. V. Franiv Національний університет «Львівська політехніка»
  • O. V. Franiv Національний університет «Львівська політехніка»

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114176

Ключові слова:

шаруватий кристал, зонно-енергетична діаграма, фазовий перехід, хімія високого тиску

Анотація

На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей монокристалів InI у широкому діапазоні зміни зовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової 5s2 електронної пари іона In+ у формуванні структури та стабілізації сполук, що містять катіони із зниженою валентністю. Визначено значення граничного тиску фазового переходу InI у високосиметричний структурний тип CsCl. Встановлено, що перед структурним переходом відбувається перехід напівпровідник-метал. Після структурного переходу сполука залишається надалі квазіодномірним металом.

Посилання

Staffel T., Meyer G. // Z. Anorg. Allg. Chem. — 1989. — 574. — P.114-118.

Kolinko M.I.// J. Phys.: Condens. Matter. — 1994. — 6, ¹1. — P.167-172.

Колінько М.І., Бовгира О.В.// УФЖ. — 2001. — 46, №7. — С. 707-719.

Vanderbilt D. // Phys. Rev. B. — 1990. — 41, ¹.11. — P.7892-7895.

Cohen R. E., Gulseren O., Hemley R. J. // Amer. Mineralogist. — 2000. — 85. — P. 338-344.

Beck H.P., Lederer G. // Z. Anorg. Allg. Chem. — 1993. — 619. — P.897-902.

Vorst C.P.J.M., Basten J.A.J. // J. Solid. State Chem. — 1981. — 37. — P.171-180.

Dyke J.P. van, Samara G.A. // Phys.Rev. B. — 1975. — 11. — P. 4935-4944.

##submission.downloads##

Опубліковано

2007-11-13

Номер

Розділ

Матеріали для сенсорів