DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114176

ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ InI ПІД ТИСКОМ

A. V. Franiv, O. V. Bovgyra, O. V. Bovgyra, O. V. Franiv, O. V. Franiv

Анотація


На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей монокристалів InI у широкому діапазоні зміни зовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової 5s2 електронної пари іона In+ у формуванні структури та стабілізації сполук, що містять катіони із зниженою валентністю. Визначено значення граничного тиску фазового переходу InI у високосиметричний структурний тип CsCl. Встановлено, що перед структурним переходом відбувається перехід напівпровідник-метал. Після структурного переходу сполука залишається надалі квазіодномірним металом.

Ключові слова


шаруватий кристал; зонно-енергетична діаграма; фазовий перехід; хімія високого тиску

Повний текст:

PDF

Посилання


Staffel T., Meyer G. // Z. Anorg. Allg. Chem. — 1989. — 574. — P.114-118.

Kolinko M.I.// J. Phys.: Condens. Matter. — 1994. — 6, ¹1. — P.167-172.

Колінько М.І., Бовгира О.В.// УФЖ. — 2001. — 46, №7. — С. 707-719.

Vanderbilt D. // Phys. Rev. B. — 1990. — 41, ¹.11. — P.7892-7895.

Cohen R. E., Gulseren O., Hemley R. J. // Amer. Mineralogist. — 2000. — 85. — P. 338-344.

Beck H.P., Lederer G. // Z. Anorg. Allg. Chem. — 1993. — 619. — P.897-902.

Vorst C.P.J.M., Basten J.A.J. // J. Solid. State Chem. — 1981. — 37. — P.171-180.

Dyke J.P. van, Samara G.A. // Phys.Rev. B. — 1975. — 11. — P. 4935-4944.




Copyright (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)