КОЕФІЦІЄНТ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОЇ ДОБРОТНОСТІ КРИСТАЛІВ Hg1-xMnxS і Hg1-x-уMnxFeyS
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114248Ключові слова:
напівпровідник, термоелектрична добротність, електропровідністьАнотація
В даній роботі на основі досліджень електропровідності і термо-е.р.с. проведена оцінка величини коефіцієнта термоелектричної добротності (Z) кристалів Hg1-xMnxS і Hg1-x-уMnxFeyS. На основі одержаних значень Z можна робити висновки про можливості використання цих матеріалів у термоелектричних пристроях.Посилання
Э. В. Осипов Твердотельная криогеника. К.: Наукова думка 1977 — 236 с.
Томашик В. Н., Грыцив В. И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AIIBVI. — Киев: Наукова думка,1982. 168с.
Мар’янчук П. Д., Андрущак Г. О., Майструк Е. В. // Фізика і хімія твердого тіла. 2008. Т.9 №4. С. 706-710.
Мар’янчук П. Д., Андрущак Г. О. // Нові технолог ії. 2008.Т.20 № 2. С. 129–134.
Могилевский Б. М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. — М.: Наука, 1972. — 536с.
Марьянчук П. Д., Андрущак Г. О. // Изв. вузов. Физика. 2008 Т.51. №3. — С. 59-63.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
