БАРИЧНА ПОВЕДІНКА ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОНИКНОСТІ В КРИСТАЛАХ TlGaSe2
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.4.115101Ключові слова:
шаруватий кристалл, фазовий перехід, гідростатичний тискАнотація
Досліджено шаруваті сегнетоелектрики TlGaSe2 з неспівмірною фазою при високих гідростатичних тисках (pатм ≤p≤ 660 МПа). Встановлено, що при збільшенні тиску спостерігається зміщення аномалій діелектричної проникності в область вищих температур, зміна температур характерних аномалій має лінійний характер і визначено їх баричні коефіцієнти у досліджуваному інтервалі тисків. За результатами досліджень баричних залежностей діелекричної проникності, піроелектричного коефіцієнта та петель гістерезису побудована (p,T)– діаграма кристалів TlGaSe2
Посилання
Seyidov M. — H.Yu., Suleymanov R.A., Babaev S.S., Mamedov T.G., and Sharifov G.M. Effect of External Fields on the Memory Effect of the Incommensurate Phase in the Ferroelectric–Semiconductor TlGaSe2 // Physics of the Solid State. — 2008. — V. 50, №.1. — P. 108–117.
Senturk E, Mikailov F.A. Some special dielectric characteristics of TlGaSe2 layered crystals // Crystal Research and Technology. — 2006. — V. 41, №11.— P. 1131–1135.
Mikailov F.A., Basaran E., Tumbek L., Senturk E., Mammadov T.G. Thermal history and dielectric behavior in the incommensurate phase of TlGaSe2 // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2005. — V. 351. — P. 2809–2812.
Senturk E., Tumbek L., Salehli F., Mikailov F.A., Incommensurate phase properties of TlGaSe2 layered crystals // Crystal Research and Technology. — 2005. — V. 40, №3. — P. 248–252.
Muller D., Hahn H. Zur structur des TlGaSe2 // Z. Anorg. Allg. Chem. — 1978. — V. 438, №1. — P. 258–272.
McMorrow D.F., Cowley R.A., Hatton P.D., Banys J. The structure of the paraelectic and icommesurate phases of TlGaSe2 // J. Phys.: Cond. Matter. — 1990. — V.2. — P. 3699-3712.
Henkel W., Hochheimer H.D., Carlone C., Werner A., Ves S. and Schnering H.G. High-pressure Raman study of the ternary chalcogenides TlGaS2, TlGaSe2, TlInS2 and TlInSe2 // Phys. Rev. B. — 1982. — V. 26, №6. — P. 3211–3221.
Allakhverdiev K.R., Mamedov T.G., Peresada G.I., Ponatovski E.G., Sharifov Ya.N. Phase diagrams of
TlInS2, TlGaS2, и TlGaSe2 layered semiconductors under hydrostatic pressure up to 1.2 GPa // Sov.Phys. Solid State. — 1985. — V. 27, №3. — P. 927 – 928.
Ves S. Effects of hydrostatic pressure on the fundamental absorption edge of TlGaSe2 // Phys. Rev. B. — 1989. — V. 40, №11. — P. 7892–7897.
Guranich P., Shusta V., Gerzanich E., Slivka A., Kuritsa I., Gomonnai O. Influence of hydrostatic pressure on dielectric properties of CuInP2 S6 and CuInP2 Se6 layered crystals // J. Phys.: Conf. Ser. — 2007. — V. 79. — P. 012009-1–012009-4.
Byer R.L., Rwundy C.B. Pyroelectric coefficient direct measrement technigue and application sec response time detector // Ferroelectrics. — 1972. — V. 3, №2–4. — P. 333–338.
Shaulov A., Bell M.I., Smith W.A. Direct measurement of piroelectric figures of merit of proper and improper ferroelectrics // J. Appl. Phys. — 1979. — V. 50, №7. — P. 4913–4919.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
