СТВОРЕННЯ І ВЛАСТИВОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ КОНТАКТІВ Al I Au НА ТОНКОПЛІВКОВОМУ Zn1-x Mnx O
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115677Ключові слова:
оксид цинку, тонкі плівки Zn1-x Mnx O, електричний контактний опірАнотація
Досліджено електричні характеристики контактів металів Au і Al нанесенихна вирощені ВЧ-магнетронним розпилюванням тонкі плівки Zn1-xMnxO. Встановлено, що хімічна обробка поверхні перед металізацією приводить до зменшення питомого контактного опору за рахунок утворення тонкого приповерхневого збагаченого електронами n+- шару, а також за рахунок створення на поверхні більшої густини вакансій кисню.
Посилання
Look D., Reynolds D, Sizelove J, Jones R., Litton C., Cantwell G., and Harsh W., Electrical properties of bulk ZnO // Solid State Comm. — 1998. — V. 105. — P.399-401.
Gorla C., Liang S., Emanetoglu N, Mayo W., Shen H., Wraback M., and Lu, Structural, optical, and surface acoustic wave properties of epitaxial ZnO films grown on (012) sapphire by metalorganic chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. — 1999. — V.85. — P. 2595-2602.
Look D., Recent advances in ZnO materials and devices // Mater. Sсi. Eng. B, — 2001. — V. 80 — P. 383- 387.
Bagnall D., Chen Y., Shen M., Zhu Z., Goto T, and Yao T., Room temperature excitonic stimulated emission from zinc oxide epilayers grown by plasma-assisted MBE // J Cryst, Growth, — 1998. — V.184/185, — P.605-609.
Look D. C. Renlund G. M. Burgener R. H. and J. R. Sizelove, As-doped p-type ZnO produced by an evaporation/sputtering process // Appl. Phys. Lett. — 2004. — V.85 — P. 5269-5271.
Zhao J.-L., Li X.-M., Bian J.-M., Yu W.-D. and Zhang C.-Y., Growth of nitrogen-doped p-type ZnO
films by spray pyrolysis and their electrical and optical properties // J. Cryst. Growth — 2005. — V. 280 — P. 495-501.
Norton D. P., Norton D. P., Heo Y. W., Ivill M. P., Ip K., Pearton S. J., Chisholm M. F. and Steiner T.,
ZnO: growth, doping & processing // Materials Today.– 2004. — V.7 — P. 34-40.
Heo Y. W., Park S. J., Ip K., Pearton S. J., and Norton D. P., Transport properties of phosphorus-doped ZnO thin films// Appl. Phys. Lett. –2003. –V.3. — P.1128-1130.
Pearton S. J., Norton D. P., Ip K., Heo Y. W. and Steiner T., Recent progress in processing and properties of ZnO // Progress in Materials Science — 2005. — V.50– P.293-340.
Kim S.-H. , Kim H.-K. , Seong T.-Y., Effect of hydrogen peroxide treatment on the characteristics of
Pt Schottky contact on n-type ZnO// Appl. Phys. Lett. — 2005. –V.86. — P.112101–112103.
Polyakov A. Y. , Smirnov N. B. , Kozhukhova E. A. , and Vdovin V. I. , . Ip K. , Heo Y. W. , D. P. Norton,
and S. J. Pearton, Electrical characteristics of Au and Ag Schottky contacts on n-ZnO// Appl. Phys. Lett. –2003. –V.83. –P.1575–1577.
Wenckstern H. , Kaidashev E. M. , Lorenz M. , Hochmuth H. , Biehne G. , Lenzner J. , Gottschalch V. ,
Pickenhain R. , and Grundmann M., Lateral homogeneity of Schottky contacts on n-type ZnO// Appl.
Phys. Lett. — 2004. — V.84. — P.79–81.
Coppa B. J. and Davis R. F. , Nemanich , Gold Schottky contacts on oxygen plasma-treated, n-type ZnO(0001)// Appl. Phys. Lett. –2003. –V.82. – P.400–402.
Coppa B. J., Fulton C. C., Kiesel S. M., Davis R. F. , Pandarinath C., Burnette J. E., Nemanich R. J. and
Smith D. J. Structural, microstructural, and electrical properties of gold films and Schottky contacts on remote plasma-cleaned, n-type ZnO{0001} surfaces // J. Appl. Phys. — 2005. — V.97 — P. 103517-103530.
Kim S.-H., Kim H.-K., Seong T.-Y., Electrical characteristics of Pt Schottky contacts on sulfide-treated
n-type ZnO // Appl. Phys. Lett. — 2005. — V. 86 —
P. 30.
Grossner U., Gabrielsen S., Bшrseth T. M., Grillenberger J., Kuznetsov A. Yu., and Svensson B.G., Palladium Schottky barrier contacts to hydrothermally grown n-ZnO and shallow electron states // Appl.
Phys. Lett. — 2004. — № 20 — P. 2259-2261.
Petrie W. T. and Vohs J. M., Interaction of platinum films with the (000 ) and (0001) surfaces of ZnO // J. Chem. Phys. — 1994. — V. 101 — P. 8098-8107.
Liang S., Sheng H., Liu Y., Huo Z., Lu Y. and Shen H., ZnO Schottky ultraviolet photodetectors // J. Cryst. Growth — 2001. — V. 225. — P. 110-113.
Ohashi N., Tanaka J., Ohgaki T., Haneda H., Ozawa M., Tsurumi T., Isothermal capacitance transient
spectroscopy for deep levels in Co- and Mn-doped ZnO single crystals // J. of Materials Research — 2002. — V. 17 — P.1529-1535.
Neville R. C. and Mead C. A., Surface Barriers on Zinc Oxide // J. Appl. Phys –1970. — V.41. — P. 3795-3800.
Fukumura T., Jin Zhengwu, Ohtomo A., Koinuma H., and Kawasaki M., An oxide-diluted magnetic
semiconductor: Mn-doped ZnO // Appl. Phys. Lett. — 1999. — V.75.– P.3366-3368.
Фаренбрух А., Бьюб Р., Солнечные элементы: Теория и эксперимент / Перев. под. ред. М.М. Колтуна. Москва, Энергоатомиздат.1987.
Murphy T.E., Blaszczak J.O., Moazzami K., Bowen W.E., and Phillips J.D., Properties of electrical contacts on bulk and epitaxial n-type ZnO // J. Elektron. Mater. — 2005. — V.34 — P. 389-394.
Sheng H., Saraf G., Emanetoglu N.W., Hill D.H., and Lu Y., Al ohmic contacts to HCl-treated MgxZn1-xO // J. Elektron. Mater. — 2005. — V.34 — P.754-757.
Hahn B., Heindel G., Pschorr — Skhoberer E., and Gebhardt W., MOCVD layer growth of ZnO using DMZn and tertiary butanol // Semicond, Sci. Technol. — 1998. — V.13. — P. 788-791.
Mahan C.D., Intrinsic defects in ZnO varistors // J. Appl. Phys. — 1983. — V.54,. — P. 3825-3832.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2009 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
