ОСОБЛИВОСТІ ФОТОЧУТЛИВОСТІ СТРУКТУРИ NI/N-ZNO:N/P-SI
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116313Ключові слова:
плівка ZnO, гетероструктура, внутрішнє підсилення фотоструму, фототранзисторАнотація
Леговані азотом плівки n-ZnO:N були осаджені на p-Si підкладки методом магнетронного розпилення. Досліджено особливості фоточутливості структури Ni/nZnO:N/p-Si залежно від напруги зміщення та температури. Структури демонструють високу струмову чутливість в широкому спектральному діапазоні, яка стрімко зростає при збільшенні прикладеної напруги. При напрузі 5 В чутливість на довжині хвилі λ = 400 нм становить декілька десятків А/Вт, а при λ = 1000 нм — декілька одиниць А/Вт. Висока чутливість детектора пояснюється внутрішнім підсиленням в структурі Ni/n-ZnO:N/p-Si, що поводить себе як фототранзистор.
Посилання
C. H. Park, J. Y. Lee, S. Im and T. G. Kim n-ZnO/pSi photodiodes fabricated using ion-beam induced
isolation technique // Nuclear Instr. and Meth. A. — 2003. — 206. — P.432.
H. X. Qi, Q. S. Li, B. Zhao, M. M. Zheng, X. S. Li, N. Zhang Materials Influence of ZnO homobuffer layer on n-ZnO/p-Si photodiode // Sc. and Techn.,- 2008. — 24. — P.1002.
I. — S. Jeong, Jae Hoon Kim and S. Im Ultravioletenhanced photodiode employing n-ZnO/p-Si structure // Appl. Phys. Lett. — 2003. — 83. — P. 2946.
А. І. Євтушенко, Г. В. Лашкарьов, В. Й. Лазоренко, В. А. Карпина, В. Д. Храновський, Л. А. Косяченко, В. М. Склярчук, О. Ф. Склярчук Детектор ультрафіолетового випромінювання на основі ZnO, легованого азотом // СЕМСТ. — 2008. — №3. — С.40–44.
L. A. Kosyachenko, G. V. Lashkarev, V. M. Sklyarchuk, A. I. Ievtushenko, O. F. Sklyarchuk,V. I. Lazorenko and A. Ulyashin Photodetector based on ZnO with internal photocurrent gain. Phys // J. Phys. Stat. Sol. (a). — 2010. — 207. — P. 1972.
S. O. Kasap. Optoelectronics and Photonics Prentice-Hall, New Jersey, 2001, pp. 237–239.
Ь. Цzgьr, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogўan, V. Avrutin, S. — J. Cho, and H. Morkoз A comprehensive review of ZnO materials and devices // J. Appl. Phys. — 2005. — 98. P. 041301.
A. Ievtushenko, G. Lashkarev, V. Lazorenko, V. Karpyna, V. Sichkovskyi, L. Kosyachenko, V. Sklyarchuk, O. Sklyarchuk, V. Bosy, F. Korzhinski, A. Ulyashin, V. Khranovskyy, R. Yakimova Ultraviolet detectors based on ZnO:N thin films with different contact structures//J.Acta Physica Polonica A. — 2008. — 114, 5. — P. 1123.
R. A. Clarke, J. Shewchun Non-Equilibrium. Effects on Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Currents // Solid-State Electron. — 1971. — 14. — P. 957.
M. Green, J. Shewchun Current multiplication in metal-insulator-semiconductor (MIS) tunnel diodes // Solid-State Electronics. — 1974. — 17. P. 349.
M. Fernandes, Yu. Vygranenko, R. Schwarz, M. Vieira, C. Nunes Carvalho Photocurrent multiplication in ITO/SiOx /Si optical sensors // Vacuum. — 2002. — 65. P. 67.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
