НАНОСТРУКТУРИ GaSe<FeCl3> З МАГНІТОВПОРЯДКОВАНИМИ «ГОСТЬОВИМИ» КОНФІГУРАЦІЯМИ В ТЕМПЕРАТУРНОМУ ТА ЕЛЕКТРОМАГНІТНОМУ ПОЛЯХ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116325Ключові слова:
кулонівська блокада, електретна поляризація, імпедансний відгукАнотація
Синтезовані структури в магнітному полі, для яких характерна кулонівська блокада електричного струму при кімнатній температурі. Досліджено залежність їх поляризаційних характеристик від температури, а також поведінку структур у зовнішньому електромагнітному полі. Сформовані структури GaSe<FeCl3> представляють інтерес з практичної точки зору, оскільки їх параметрами можна керувати магнітним полем.
Посилання
Rottmann F. and F. Dettmann F. New magnetoresistance sensors: Engineering and applications // Sensors and Actuators. — 1991. — V. 25. — № 763. — С. 97–101.
Захарченя Б. П., Коренев В. Л. Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику //
Успехи физ. наук. — 2005. — Т. 175. — № 6. — С. 629–635.
Звездин А.К., Звездин К. А. Суперпарамагнетизм сегодня: магниты–карлики на пути в мир квантов // Природа. — 2001. — № 9. С. 9–18.
Физико — химические свойства графита и его соединений / Черныш И.П., Карпов И.И., Приходько Г.П., Шай В.М. — К.: Наукова думка, 1990. — 200 с.
Friend R.H., Yoffe A. D. Electronic Properties of intercalation complexes of the transition metal dichalcogenides // Adv. Phys. — 1987. — № 1. — P. 1–94.
Safran S. A. Stage ordering in intercalation compounds // Solid State Physics: Adv. Res. and Appl. — 1987. — Vol. 40. — P. 246–312.
Олехнович Н.М., Мороз И.И., Пушкарев А.В., Радюш Ю.В., Салак А.Н., Вышатко Н.П., Ferreira V. M. Температурная импеданс-спектроскопия твердых растворов (1-x) Na1/2Bi1/2TiO3-xLaMg1/2Ti1/2O3 // ФТТ. — 2008. — Т. 50. — Вып. 3. — С. 472–478.
Михлин Ю. Л., Томашевич Е. В. Импеданс полупроводникового электрода с прыжковой
проводимостью в приповерхностном нестехиометрическом слое // Электрохимия. — 1992. — Т. 28. — № 9. — С. 1310–1388.
Mora-Sero I., Bisquert J. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forwars Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells // Nano Letters. — 2006. — Vol. 6. — № 4. — Р. 640–650.
Электрохимический импеданс / Стойнов З.Б., Графов Б.М., Савова-Стойнова Б.С., Елкин В.В. — М.: Наука, 1991. — 336 с.
Тареев Б. М. Физика диэлектрических материалов. — М.: Энергия, — 1973. — 328 с.
Dorogi M., Gomez J., Osifchin R., Andres R.P., Reifenberger R. Room — temperature Coulumb blockade from a self-assembled molecular nanostructure // Phys. Rev. B. — 1995. — Vol. 52. — № 12. —Р. 9071–9077.
Сканави Г. И. Физика диэлектриков (обл. слабых полей), М. — Л., 1949
Krohns S., Lunkenheimer P, Kant Ch., Pronin A. V., Brom H. B, Nugroho A. A., Diantoro M., Loidl A..
Colossal dielectric constant up to GHz at room temperature // Condensed Matter > Materials Science препринт arXiv:0811.1556 (24 November 2008).
Жуковский П.В., Партыка Я., Венгерэк П., Шостак Ю., Сидоренко Ю., Родзик А. Диэлектрические свойства соединений Cd1-xFex Se // ФТП. — 2000. — Т. 34. — № 10. — С. 1174–1177.
Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д. Р. Проводимость твердых растворов Pb1-xSnx Te(In) в переменном электрическом поле// Физ. и техн. полупроводн. — 2006. — Т. 40. — № 9. — С. 1047–1050.
Электреты / Под ред. Сесслера. Пер. с англ. — М.: Мир, 1983. — 487 с.
Каширининов П.Г., Карпенко В.П., Матвеев О. А. Фотоэлектретный эффект на полупроводниковых материалах //ФТП. — 1971. — Т. 5. — Вып. 1. — С. 62–68.
Bhatnagar C.S., Indian Journ. Pure Appl. Phys., 2, 331 (1964)
Rudra Kant Srivastava, M. S. Qureshi and C. S. Bhatnagar, Indian Journ. Pure Appl. Phys., Thermally Stimulated Discharge Currents in Tubular Magnetoelectrets of Polymethyl Metharylate, 17, № 9, 1537– 1542 (1978).
Farkya V. K., Porwal N. L. Photodielectric investigation of some compound semiconductors at low frequencies // Indian Journal of Pure and Applied Physics. — 1984. — Vol. 2. — № 12. — Р. 703–707.
Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные материалы. М.: Мир, 1981.
Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики — полупроводники. — М.: Наука, 1976. — 408 с.
Фридкин В. М. Фотосегнетоэлектрики. — М.:Наука, 1979. — 204 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
