ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНА РЕНТГЕНОПРОВІДНІСТЬ ОСОБЛИВО ЧИСТИХ КРИСТАЛІВ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.4.118607Ключові слова:
рентгенопровідність, детектори Y-випромінювання, надлінійні ВАХАнотація
Проведені експериментальні дослідження температурних залежностей рентгенолюмінесценції, рентгено- і темнової провідності високоомних нелегованих кристалів ZnSe. Встановлено, що темнова провідність зразків при температурах Т > 400 К обумовлена термічною делокалізацією носіїв з глибоких локальних рівнів ЕТ = 0.83 еВ, і величина рентгенопровідності при нагріванні до 350 К монотонно спадає, але при вищих температурах — навіть поступово зростає. Завдяки виявленим особливостям температурної поведінки рентгенопровідності кристалів ZnSe, їх можна застосовувати як детектори рентгенівського та Y-випромінювання, які надійно працюватимуть при температурах навколишнього середовища 100 0C ( високотемпературні детектори).
Посилання
Калинина Е. В. Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных p+-n — переходов
/ Е. В. Калинина, Н. Б. Строкан, А. М. Іванов, А. А. Ситникова, А. В. Садовин, А. Ю. Азаров, В. Г. Коссов, Р. Р. Яфаев // ФТП. — 2008. — т.42, в.1. — С.87–93.
Калинина Е. В. Р-n — детекторы ядерного излучения на основе пленок 4H-SiC для работы при повышенных температурах (375°С) / Е. В. Калинина, А. М. Іванов, Н. Б. Строкан // Письма в ЖТФ. — 2008. — т.34, в.5. — С.63–70.
Клайнкнехт К. Детекторы корпускулярных излучений / К. Клайнкнехт: пер. с нем. — М.: Мир, 1990. — 224 с
Берг А. Светодиоды / А. Берг, П. Дин : пер. с англ. А. Э. Юновича. — М.: Мир, 1979. — 682 с.
Кристаллы сцинтилляторов и детекторов ионизирующих излучений на их основе / Атрощенко Л. В., Бурачас С. Ф., Гальчинецкий Л. П. и
др. — Киев: Наук. думка, 1998. — 166 с. — (глава 3).
Недеогло Д. Д. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка / Д. Д. Недеогло, А. В. Симашкевич. — Кишинев: Штиинца,
— 150 с.
Бродин М. С. Влияние облучения электронами на экситонную фотолюминесценцию монокристаллов ZnSe / М. С. Бродин, Б. Ш. Королько, П. С. Кособуцкий, Л. Ф. Лысенко // УФЖ. — 1976. — Т.21, № 7. — С.1086–1089.
Дегода В. Я. Фото- и рентгенолюминесценция ZnSe / В. Я. Дегода, Б. Р. Кияк, В. С. Манжара, В. Е. Родионов, А.И Проскура // Неорганические материалы. — 2000. — т.36, № 5. — С.624–627.
Весна Г. В. Рентгенопроводимость поликристаллического селенида цинка / Г. В. Весна, Х. В. Гуцуляк, В. Я. Дегода, Б. Р. Кияк, В. С. Манжара, А. Н. Проскура // Неорганические материалы. — 1997. — т.33, в.2. — С.178–180.
Дегода В. Я. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // ФТП. — 2010. — т. 44, вып. 5. — C. 594–599.
Эльмуротова Д. Б. Усиление электролюминесценции кристаллов ZnSe (Te, O) после - облучения / Д. Б. Эльмуротова, Э. М. Ибрагимова
// ФТП,- 2007. — т. 41, вып. 10. — C. 1153–1157.
Дегода В. Я. Вплив характеру збудження на люмінесценцію і провідність селеніду цинку / В. Я. Дегода, А. О. Софієнко // Вісник Київ. унту. Cерія: фізика. — 2006. — № 8. — C. 52–55.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2011 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
