ГЕТЕРОШАРИ АНІЗОТРОПНОГО α-ZnSe ДЛЯ ФОТОСЕНСОРІВ

Автор(и)

  • М. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • В. В. Мельник Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • О. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2018.2.136885

Ключові слова:

ізовалентне заміщення, гетерошар, оптичне відбивання, люмінесценція, фотопровідність, поляризація

Анотація

Досліджено оптичні, люмінесцентні та електричні властивості гетерошарів α-ZnSe отриманих методом ізовалентного заміщення. Встановлено високий квантовий вихід люмінесценції η = 10-12 % у короткохвильовій області. Виявлена домінуюча роль анігіляції екс­итонів і міжзонних переходів вільних носіїв заряду. Виготовлено поверхнево-бар’єрні структу­ри Ni-α-ZnSe, спектральна область фоточутливості яких становить ħω = 2,70-3,75 еВ. Гексаго­нальна модифікація структури отриманих гетерошарів обумовлює їх поляризаційні властивості відбивання і фоточутливості.

Посилання

N. K. Morozova. Zinc selenide. Obtain¬ing and optical properties. Metallurgy, M. 70 p. (1992).

V. P. Makhniy, M. M. Slyotov, M. V. De¬mych, A. M. Slyotov. Peculiarities of the physical properties of heterovalent isovalent substitution for wide-gap II-VI compounds // Intern. sci. conf, Minsk, 1, pp. 385-387 (2005).

M. M. Slyotov, B. M. Sobistchanskiy, E. V. Stets. Isovalent substitution – a perspec¬tive methods of producing heterojunction opto-electronical devices // SPIE, 4425, pp. 272-276 (2000).

Y. Yu Peter, Manuel Cardona. Fundamen¬tals of Semiconductors. Physics and Materials Properties. Fourth Edition. Springer, New York, 793 p. (2010).

V. P. Makhniy, M. M. Slyotov, E. V. Stets, I. V. Tkachenko, V. V. Gorley, P. P. Horley. Appli¬cation of modulation spectroscopy for determina¬tion of recombination center parameters // Thin Solid Films, 450, pp. 222-225 (2004).

V. Khomyak, M. Slyotov, I. Shtepliuk, O. Slyotov and V. Kosolovskiy. Effect of Se Iso¬electronic Impurity on the Luminescence Features of the ZnO // Acta Physica Polonica A, 122(6), pp. 1041-1043 (2012).

Koh Era, Langer D. W. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence, 1-2, pp. 514-527 (1970).

T. V. Gorkavenko, S. M. Zubkova, V. A. Ma¬kara, L. N. Rusina. Temperature dependence of the band structure of ZnS, ZnSe, ZnTe, and CdTe wurtzite-type semiconductor compounds // Semi¬conductors, 41(8), pp. 886-896 (2007).

F. P. Kesamanly, V. Yu. Rudy, Yu. V. Rudy. Natural photopleochroism in semiconductors // FTP, 30(11), pp. 1921-41 (1996).

##submission.downloads##

Опубліковано

2018-07-09

Номер

Том 15 № 2 (2018)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2018 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.