DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2018.2.136885

ГЕТЕРОШАРИ АНІЗОТРОПНОГО α-ZnSe ДЛЯ ФОТОСЕНСОРІВ

М. М. Сльотов, В. В. Мельник, О. М. Сльотов

Анотація


Досліджено оптичні, люмінесцентні та електричні властивості гетерошарів α-ZnSe отриманих методом ізовалентного заміщення. Встановлено високий квантовий вихід люмінесценції η = 10-12 % у короткохвильовій області. Виявлена домінуюча роль анігіляції екс­итонів і міжзонних переходів вільних носіїв заряду. Виготовлено поверхнево-бар’єрні структу­ри Ni-α-ZnSe, спектральна область фоточутливості яких становить ħω = 2,70-3,75 еВ. Гексаго­нальна модифікація структури отриманих гетерошарів обумовлює їх поляризаційні властивості відбивання і фоточутливості.

Ключові слова


ізовалентне заміщення; гетерошар; оптичне відбивання; люмінесценція; фотопровідність; поляризація

Повний текст:

PDF

Посилання


N. K. Morozova. Zinc selenide. Obtain¬ing and optical properties. Metallurgy, M. 70 p. (1992).

V. P. Makhniy, M. M. Slyotov, M. V. De¬mych, A. M. Slyotov. Peculiarities of the physical properties of heterovalent isovalent substitution for wide-gap II-VI compounds // Intern. sci. conf, Minsk, 1, pp. 385-387 (2005).

M. M. Slyotov, B. M. Sobistchanskiy, E. V. Stets. Isovalent substitution – a perspec¬tive methods of producing heterojunction opto-electronical devices // SPIE, 4425, pp. 272-276 (2000).

Y. Yu Peter, Manuel Cardona. Fundamen¬tals of Semiconductors. Physics and Materials Properties. Fourth Edition. Springer, New York, 793 p. (2010).

V. P. Makhniy, M. M. Slyotov, E. V. Stets, I. V. Tkachenko, V. V. Gorley, P. P. Horley. Appli¬cation of modulation spectroscopy for determina¬tion of recombination center parameters // Thin Solid Films, 450, pp. 222-225 (2004).

V. Khomyak, M. Slyotov, I. Shtepliuk, O. Slyotov and V. Kosolovskiy. Effect of Se Iso¬electronic Impurity on the Luminescence Features of the ZnO // Acta Physica Polonica A, 122(6), pp. 1041-1043 (2012).

Koh Era, Langer D. W. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence, 1-2, pp. 514-527 (1970).

T. V. Gorkavenko, S. M. Zubkova, V. A. Ma¬kara, L. N. Rusina. Temperature dependence of the band structure of ZnS, ZnSe, ZnTe, and CdTe wurtzite-type semiconductor compounds // Semi¬conductors, 41(8), pp. 886-896 (2007).

F. P. Kesamanly, V. Yu. Rudy, Yu. V. Rudy. Natural photopleochroism in semiconductors // FTP, 30(11), pp. 1921-41 (1996).




Copyright (c) 2018 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)