ДОСЛІДЖЕННЯ СТАБІЛЬНОСТІ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОСЕНСОРІВ ПІД ДІЄЮ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ОПРОМІНЕННЯ ТА МАГНІТНОГО ПОЛЯ - Павлик, Б. В.; Леновенко, А. М.; Грипа, А. С. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013)
Наведені параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p-n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольт-амперних (ВАХ) та вольт-фарадних характеристик (ВФХ), показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В=0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але впливає на дифузійну компоненту прямого струму через p-n-перехід. Дія рентгенівських променів (D<325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик у вищезгаданих умовах.