ЗАСТОСУВАННЯ МЕТОДУ ДИНАМІЧНОГО КОНДЕНСАТОРА В НАПІВПРОВІДНИКОВІЙ СЕНСОРИЦІ - Жарких, Ю. С.; Лисоченко, С. В.; Третяк, О. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013)
У роботі розглянуто застосування методу динамічного конденсатора, для визначення зарядового стану системи діелектрик-напівпровідник. Розрахунковим шляхом встановлено, що вимірювана величина напруги на конденсаторі має простий пропорційний зв’язок із зарядом локалізованим на поверхні діелектрика. Цей розрахунковий висновок підтверджений в експериментах по контрольованому осадженню заряду на структури Si-SiO2 . Наведено приклади використання розглянутого методу для визначення величини і знака заряду, що локалізується на поверхні діелектричного шару, величини поверхневої фотоерс та умов її виникнення, а також для досліджень кінетики адсорбційно-десорбційних процесів. Показано, що метод динамічного конденсатора може бути ефективно застосований у дослідженнях по створенню нових базових елементів сенсорики і в розробках способів поліпшення характеристик джерел фотоерс. Метод дозволяє прогнозувати можливість отримання необхідних характеристик приладів вже на початкових технологічних етапах їх створення.