СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ GaAs, ДЕФОРМОВАНИХ СТИСКАННЯМ ПРИ 300 К - Moskal, D.; Nadtochiy, V.; Golodenko, N. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Досліджувалися структурні зміни навколо відбитка індентора на монокристалах GaAs. Використовувалися зразки у формі прямокутних паралелепіпедів розмірами 2,4×3,1×3,2 мм3 , що відповідають кристалографічним напрямкам [ 011 ] , [ 011 ] і [100 ] . Відбитки наносилися на бічні поверхні (011) і (011) при навантаженнях на індентор 0,20 Н. Потім зразок піддавався стискові уздовж [100 ] (більшого виміру) до напруження σ = 83 МПа і витримувався під навантаженням 120 годин при Т = 300 К. Після зняття тиску хімічним вибірковим травленням виявлено два типи дислокацій поблизу відбитка індентора: призматичні петлі, що вийшли з області концентрації напруження шляхом переповзання, і дислокації, що ковзають по площинах 111. Виявлено розбіг дислокацій по площинах спайності в результаті сколу кристала.