ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЧИН КАТАСТРОФІЧНОЇ ДЕГРАДАЦІЇ ПАРАМЕТРІВ КРЕМНІЄВИХ МОН — ТРАНЗИСТОРІВ - Kulinich, O.; Glauberman, M.; Chemeresuk, G.; Yatsunsky, I. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є: – обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з’єднань, що приводить до охрупчування контактів; – порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук.