МДН-ФОТОТРАНЗИСТОР З p-n-...-p-n-СТРУКТУРОЮ В ЯКОСТІ ЗАТВОРУ - Vikulin, I. M.; Kurmashev, Sh. D.; Mingalev, V. A.; Tumanov, Yu. G. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-... — p-n — структурою в якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-... — p-n — структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу, розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області.