ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ СЕНСОРІВ УЛЬТРАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ GaSe-GaN - Stakhira, P. Y.; Shandra, Z. A.; Cherpak, V. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Запропонований метод іонного розпилення GaAs а аміачній атмосфері, що відбувається в схрещених електричному і магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур на підкладці GaSe, з метою створення сенсорів ультрафіолетового випромінювання. Проведено оптимізацію лінійних розмірів реактора з метою отримання однорідних плівок нітриду галію. Результати рентгенофазового аналізу гетероструктури GaSe-GaN вказують на присутність полікристалічної плівки гексагонального нітриду галію на поверхні зразків. Зокрема, на дифрактограмах присутня лінія (110), що відповідає гексагональному GaN. Вивчено катодолюмінесцентні властивості гетероструктури GaSe-GaN.