ВИСОКОЯКІСНІ СЕНСОРИ ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ КРЕМНІЄВОГО p-n-ПЕРЕХОДУ - Vassuliuk, V. M.; Lenovenko, A. M.; Kovalchuk, N. O. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
На основі аналізу процесів в р-n-переходах серійного виробництва, доведено, що найбільше придатними для побудови сенсорів температури, здатних конкурувати з платиновими термоперетворювачами, є кремнієві р-n-переходи, технологія виробництва яких є самою досконалою в порівнянні з іншими електронними компонентами. Сформульовано критерії, яким повинні відповідати р-n-переходи для побудови високостабільних термосенсорів. Синтезована фізико-математична модель дозволяє за двома реперними точками відтворювати температурну характеристику сенсора в широкому діапазоні температур з точністю порядка 0,5 С.