ОСОБЛИВОСТІ ВПЛИВУ УЛЬТРАЗВУКУ НА ПЕРЕНЕСЕННЯ ЗАРЯДУ В КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУРАХ З БАР’ЄРОМ ШОТКИ ЗАЛЕЖНО ВІД ДОЗИ γ-ОПРОМІНЕННЯ - Оліх, О. Я. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013)
Представлені результати експериментального дослідження зворотніх вольт-амперних характеристик структур Mo/n-n+-Si з бар’єром Шотки, опромінених γ-квантами 60Со дозами 0, 10 та 100 кГр. Дослідження проведені в температурному діапазоні 120–330 К, а також в умовах ультразвукового навантаження при кімнатній температурі (частота коливань 9.6 МГц, інтенсивність повздовжніх хвиль до 1.3 Вт/см2). Встановлено, що основними механізмами перенесення заряду є термоелектрична емісія, пряме тунелювання через глибокий центр та стимульоване фононами тунелювання, причому внесок останнього механізму стає суттєвим лише після опромінення. Вперше виявлено ефект акустоіндукованого оборотнього збільшення величини зворотнього струму; розглянуто можливість застосовування ефекту для створення сенсора γ-опромінення. Показано, що особливості виявленого ефекту можуть бути пояснені іонізацією дефектів на границі розділу за рахунок взаємодії ультразвуку з дислокаціями та радіаційними точковими порушеннями періодичності в неопромінених та опромінених структурах відповідно.