АНОМАЛЬНА ПОВЕДІНКА ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОНИКНОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СТЕКОЛ В ОКОЛІ ТЕМПЕРАТУРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ - Rubish, V. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
Досліджені температурні залежності діелектричних параметрів халькогенідних стекол на основі сульфойодиду сурми. Показано, що аномалії на залежності ε і tgδ пов’язані з переходом стекол у полярний стан і наступною їх кристалізацією. Кристалізація стекол супроводжується різким зростанням діелектричних параметрів, обумовленим утворенням у склоподібній матриці кристалічних включень, наділених сегнетоелектричними властивостями. Розміри кристалічних включень і величина діелектричної проникності залежать від умов термообробки.