АМОРФНО-КРИСТАЛІЧНІ ГЕТЕРОПЕРЕХОДИ ДЛЯ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ СЕНСОРІВ: ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ТА ВЛАСТИВОСТІ - Savchenko, N. D.; Kondrat, A. B.; Shchurova, T. N.; Opachko, I. I.; Rubish, V. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
Методом, який базується на методі лінійної комбінації атомних орбіталей та методі псевдопотенціалу, проведено розрахунок електронної структури в області забороненої зони аморфних (Ge33As12Se55) і кристалічних (Si) матеріалів. Побудовані теоретичні енергетичні діаграми для гетероструктур і співставлені з експериментальними даними.