ВПЛИВ ГЕОМЕТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ТА ТИПУ ПРОВІДНОСТІ БАЗОВИХ КРЕМНІЄВИХ КРИСТАЛІВ НА ЕФЕКТИВНІСТЬ РОБОТИ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ - Kirichenko, M. V.; Zaytsev, R. V.; Kopach, V. R.; Antonova, V. A.; Listratenko, A. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
Наведено результати досліджень вихідних та діодних параметрів фотоелектричних перетворювачів (ФЕП), виготовлених на основі базових кристалів кремнію р- та n-типу провідності товщиною від 190 до 375 мкм. Шляхом зіставлення вихідних та діодних параметрів ФЕП з базовими кристалами різної товщини та типу провідності обґрунтована доцільність створення високоефективних вітчизняних ФЕП наземного призначення на основі кристалів кремнію n-типу провідності з товщиною не більше 200 мкм.