ВПЛИВ НАНОСТРУКТУРОВАНИХ ШАРІВ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ НА ПОВЕРХНЕВІ РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В КРЕМНІЄВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ - Gorban, A. P.; Kostylyov, V. P.; Sachenko, A. V.; Serba, O. A.; Chernenko, V. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Проведено експериментальну перевірку можливості одночасної реалізації ефективних просвітлення і пасивації фронтальної поверхні кремнієвих сонячних елемент ів (СЕ) наноструктурованими шарами пористого кремнію, отриманими електрохімічним способом. Показано, що при використанні електроліту на основі етилового спирту і концентровано ї фторидної кислоти на поверхні п+-області СЕ можна виростити плівку мікропористого кремнію з оптимізованими значеннями показника заломлення, товщину якої можна задавати тривалістю проведення процесу електрохімічного травлення. Встановлено, що при проникненні пор наскрізь через сильнолеговану п+-область приповерхневого ізотипного п+-п-переходу останній втрачає свої антирекомбінаційні властивості і ефективна швидкість поверхневої рекомбінації збільшується внаслідок того, що домінуючими рекомб інаційними механізмами стають рекомбінація через поверхневі рекомбінаційні центри та рекомбінація в області просторового заряду шару виснаження. Показано, що після стравлення приповерхневого п+-шару і утворення плівки мікропористого кремнію на матеріалі базової п-області СЕ ефективна швидкість поверхневої рекомбінації зменшується внаслідок нейтралізації поверхневих рекомбінаційно-активних центрів атомами водню, які виділяються в ході електрохімічної реакції, але цей ефект нестабільний через десорбцію атомів водню з мікропористого шару.