ФІЗИЧНІ ЯВИЩА ТА ЗОННІ ПАРАМЕТРИ КРИСТАЛІВ (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, ЛЕГОВАНИХ МАРГАНЦЕМ - Maryanchuk, P. D.; Kozyarskyy, D. P. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
Магнітна сприйнятливість (χ) кристалів (3HgSe)1-x(Al2 Se3)x (х=0,1), легованих марганцем, досліджена в інтервалі температур Т=77 — 300 К при Н=4 кЕ методом Фарадея до і після термообробки зразків в парах селену. Встановлено, що особливості χ обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn–Se–Mn–Se різних розмірів, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється непряма обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Термообробка зразків в парах селену слабо впливає на χ кристалів. Дослідження кінетичних коефіцієнтів кристалів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x (х=0,1) (легованих марганцем) проведені в інтервалі Т=77-300К і Н=0,5-5 кЕ до і після термообробки зразків в парах селену. До термообробки коефіцієнт Холла (RH) в досліджуваних кристалах не залежить від температури, термо-ерс збільшується з ростом температури, електропровідність кристалів має металічний характер і майже лінійно залежить від температури, що вказує на можливість використання цих матеріалів як датчиків (сенсорів) температури. Термообробка зразків в парах селену приводить до зменшення концентрації електронів. Одержано залежність ефективної маси електронів на рівні Фермі від температури.