ВИХІДНІ ТА ДІОДНІ ПАРАМЕТРИ КРЕМНІЄВИХ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ З БАЗОВОЮ p-i-n-СТРУКТУРОЮ ПРИ ЗВИЧАЙНОМУ ТА СЛАБО КОНЦЕНТРОВАНОМУ СОНЯЧНОМУ ОПРОМІНЕННІ - Kirichenko, M. V.; Shuba, L. P.; Kopach, V. R.; Antonova, V. A.; Listratenko, A. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2008)
Виготовлені та досліджені тестові зразки фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) з p-i-n структурою на основі дуже слабо легованих фосфором кристалів кремнію i(n-)-типу провідності товщиною близько 300 мкм з питомим опором 4000 Ом∙см. Виявлене значення густини фотоструму, що дорівнює 48,6 мА/см2 є рекордним для вітчизняних монокристалічних ФЕП, що обумовлює доцільність розробки серійних ФЕП з p-i-n структурою. Вивчено вплив слабо концентрованого опромінення на ефективність роботи ФЕП такого типу. Об- ґрунтовано пропозиції по вдосконаленню конструкції ФЕП з p-i-n структурою, що забезпечує збільшення їх ККД до 20 %.