ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК GaNAs ТА GaN, ОТРИМАНИХ НІТРИДИЗАЦІЄЮ ПОРУВАТИХ ПІДКЛАДОК GaAs - Revenko, A. S. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2008)
У статті представлено результати дослідження люмінесційних властивостей тонких плівок потрійних сполук GaNAs, отриманих шляхом нітридизації поруватих підкладок GaAs. Визначено можливість керування концентрацією миш’яку і азоту у сполуці GaNAs завдяки оптимізації параметрів відпалу у атомарному азоті. Отримані результати є цікавими в аспекті використання підкладки GaAs кристалографічної орієнтації (111) для формування кубічної модифікації GaN. Переважна більшість робіт, присвячених отриманню кубічного GaN ґрунтувалась на використанні підкладок GaAs(001). Показано можливість зміни енергетичного положення граничної люмінесценції сполуки GaNx As1-x від 2.63 еВ до 2.44 еВ при зміні величини концентрації миш’яку від 1 до 10%. Визначено залежність типу кристалічної ґратки плівок GaN від ступені поруватості підкладки por-GaAs/GaAs(111). Показано, що використання підкладок GaAs із величиною поруватості 30% сприяє отримання плівок GaN кубічної модифікації. Наявність у спектрах ФЛ піку при 3.42 еВ пов’язується із присутністю кристалітів гексагональної модифікації GaN у матриці кубічного GaN.