СЕНСОРИ ФІЗИЧНИХ ВЕЛИЧИН НА ОСНОВІ СТРУКТУР “КРЕМНІЙ НА ІЗОЛЯТОРІ” З РЕКРИСТАЛІЗОВАНИМ ШАРОМ ПОЛІКРЕМНІЮ - Druzhinin, A. A.; Maryamova, I. I.; Kogut, I. T.; Khoverko, Yu. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2008)
Представлено результати досліджень зі створення мікроелектронних сенсорів механічних і теплових величин на основі структур “кремній на ізоляторі” (КНІ-структур) з рекристалізованих лазером шаром полікремнію. Описано розроблену технологію мікрозонної лазерної рекристалізації полі-Si шарів. На основі проведених досліджень терморезистивних характеристик шарів полі-Si з різною концентрацією носіїв заряду розроблено мікроелектронні сенсори температури для різних температурних діапазонів, а також сенсори кріогенних температур, працездатні в сильних магнітних полях. Проведено дослідження тензорезистивних властивостей шарів полі-Si з різною концентрацією носіїв у широкому інтервалі деформацій і температур. Представлено розроблені мікроелектронні тензорезистивні сенсори тиску різного призначення: високочастотні сенсори для аеродинамічних досліджень, сенсори тиску медичного призначення., а також сенсори для вимірювання тиску і температури Описано також створений ємнісний мікроелектронний сенсор для вимірювання артеріального тиску.