БАРИЧНА ПОВЕДІНКА ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОНИКНОСТІ В КРИСТАЛАХ TlGaSe2 - Gomonnai, O. O.; Rigan, M. Yu.; Roman, I. Yu.; Guranich, P. P.; Slivka, A. G. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2008)
Досліджено шаруваті сегнетоелектрики TlGaSe2 з неспівмірною фазою при високих гідростатичних тисках (pатм ≤p≤ 660 МПа). Встановлено, що при збільшенні тиску спостерігається зміщення аномалій діелектричної проникності в область вищих температур, зміна температур характерних аномалій має лінійний характер і визначено їх баричні коефіцієнти у досліджуваному інтервалі тисків. За результатами досліджень баричних залежностей діелекричної проникності, піроелектричного коефіцієнта та петель гістерезису побудована (p,T)– діаграма кристалів TlGaSe2