ЧУТЛИВІСТЬ КРЕМНІЄВИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ДО КУТА ПАДІННЯ СВІТЛА НА ЇХ ПРИЙМАЛЬНУ ПОВЕРХНЮ - Kirichenko, M. V.; Kopach, V. R.; Zaitsev, R. V.; Bondarenko, S. A. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2009)
Наведено результати досліджень залежностей вихідних параметрів багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) від кута падіння сонячного випромінювання на їх приймальну поверхню. Показано, що для збільшення ККД ФЕП необхідно забезпечити підвищені значення часу життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах та коефіцієнта оптичного відбиття від границь метал/Si всередині багатоперехідних ФЕП, у той час, як при використанні багатоперехідних ФЕП у системах оптичної локації визначення напряму розповсюдження випромінювання доцільним є примусове зниження цих величин.