ВПЛИВ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОГО ВІДПАЛУ НА СТРУМИ У ФОТОДІОДНИХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ КРТ - Сизов, Ф. Ф.; Лисюк, І. О.; Гуменюк-Сичевська, Ж. В.; Цибрій, З. Ф.; Андрєєва, К. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011)
Подано результати дії серії послідовних низькотемпературних відпалів (70°С, 80°С, 90°С, 100°С тривалістю 10 годин) на розподіл струму в фотодіодних лінійках ІЧ діапазону (8–12 мкм), сформованих на епітаксійних плівках КРТ. Моделювання ВАХ фотодіода з урахуванням рівняння балансу носіїв заряду показало, що концентрація рекомбінаційних центрів зменшується, а час життя неосновних носіїв заряду збільшується. Висунуто припущення, що деградація фотодіодів після відпалу з температурою 100°С зумовлено малою товщиною епітаксійної плівки, а р-n перехід після відпалу досягає інтерфейсної границі.