CЕНСОР ПЕРЕКИСУ ВОДНЮ НА ОСНОВІ МДН-ТРАНЗИСТОРА З АКТИВНИМ ШАРОМ В ОБЛАСТІ ПІДКЛАДКИ - Kutova, O.; Dusheiko, M.; Obukhova, T.; Maksimchuk, N.; Borodinova, T.; Tymofeev, V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Проведено дослідження сенсорів H2 О2 на основі МДН-транзисторів з шаром пористого кремнію та каталізатором перекису водню (наночастинками платини) на зворотній стороні підкладки в області затвору. Модифікація тильної сторони сенсора виконувалася шляхом метал-стимульованого хімічного травлення. Проведено аналіз пористої структури, вимірювання розміру наночастинок платини та їх вплив на чутливість сенсора. На основі апроксимації вольт-амперних характеристик при різних концентраціях перекису водню обчислено чутливість сенсора, що складає не менше 0,135 мкА/ppm. Розраховано енергетичну активність реакції каталітичного розпаду H2 О2 та її вплив на результати експерименту.