ВПЛИВ ПРОТОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ Si-Ge - Pavlovska, N. T.; Litovchenko, P. G.; Druzhinin, A. A.; Ostrovskyy, I. P.; Khoverko, Yu. M.; Karpenko, A. Ya.; Tsmots, V. M.; Pavlovskyy, Yu. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2010)
Вивчено вплив протонного опромінення та сильних магнітних полів на електропровідність та магнітоопір ниткоподібних кристалів (НК) Si1-xGex (х = 0,03) з питомим опором ρ = 0,008–0,025 Ом∙см в інтервалі температур 4,2–300 К. Виявлено зменшення опору кристалів у температурній області 4,2–40 К в процесі опромінення малими дозами протонів та істотне збільшення опору у всій дослідженій температурній області при опроміненні дозою 1∙1017 р+/см2. Запропоновано інтерпретацію виявлених змін фізичних параметрів ниткоподібних кристалів.