ОСОБЛИВОСТІ ФОТОЧУТЛИВОСТІ СТРУКТУРИ NI/N-ZNO:N/P-SI - Ievtushenko, A. I.; Lashkarev, G. V.; Lazorenko, V. I.; Kosyachenko, L. A.; Sklyarchuk, V. M.; Sklyarchuk, O. F. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2010)
Леговані азотом плівки n-ZnO:N були осаджені на p-Si підкладки методом магнетронного розпилення. Досліджено особливості фоточутливості структури Ni/nZnO:N/p-Si залежно від напруги зміщення та температури. Структури демонструють високу струмову чутливість в широкому спектральному діапазоні, яка стрімко зростає при збільшенні прикладеної напруги. При напрузі 5 В чутливість на довжині хвилі λ = 400 нм становить декілька десятків А/Вт, а при λ = 1000 нм — декілька одиниць А/Вт. Висока чутливість детектора пояснюється внутрішнім підсиленням в структурі Ni/n-ZnO:N/p-Si, що поводить себе як фототранзистор.