ТЕРМОДИНАМІКА ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ І ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ CdTe:І - Freik, D. M.; Gorichok, I. V.; Pysklynets, U. M.; Potiak, V. Yu. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2010)
Представлено термодинамічний аналіз процесів дефектоутворення в легованому йодом кадмій телуриді. Методом термодинамічних потенціалів розраховано залежності концентрації вільних носіїв заряду і переважаючих точкових дефектів у кристалах CdTe:І від технологічних параметрів двотемпературного відпалу. Встановлено тип домінуючих власних і домішкових точкових дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу. Показано, що компенсаційна модель крім дефектів заміщення Te I + , їх комплексів з власними точковими дефектами 2 ( ) V I Cd Te −+− , 2 0 ( 2) V I Cd Te − + враховує також утворення DX– -центрів.