ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕБУДОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОТРУБОК В ГАЗОВОМУ СЕРЕДОВИЩІ - Балабай, Р. М.; Рябчиков, Д. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011)
Представлені результати дослідження методами із перших принципів змін електронно ї будови одно-стінкових вуглецевих нанотрубок напівпровідникового та металевого типів з чистими стінками та покритими атомами F, у вакуумі та газовому середовищі NH3. Фторування напівпровідникових нанотрубок приводить до появи у спектрі нанотрубки стан ів, характерних для кристалічного вуглецю, і, в той же час, спектр перебудовується до вигляду характерного для нанотрубки із металічними властивостями. Фторування металевих нанотрубок майже не змінює їх електронних властивостей. Під’єднання молекул аміаку до поверхні напівпровідникової та металевої нанотрубок приводить до перегрупування станів у валентній зоні.