ДОСЛІДЖЕННЯ ВОЛЬТ-ФАРАДНИХ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ, ЩО МАЮТЬ НЕГАТИВНУ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНУ ЄМНІСТЬ, ДІОДІВ ШОТТКІ З GAAS/INAS КВАНТОВИМИ ТОЧКАМИ - Lin, S. D.; Lee, C. P.; Ilchenko, V. V.; Marin, V. V.; Shkil, M. V.; Buyanin, A. A.; Panarin, K. Y.; Tretyak, O. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
Вольт-фарадні дослідження проводилися на діодах Шотткі з GaAs/InAs квантовими точками та квантовими ямами. Експериментально спостерігався ефект негативної диференціальної ємності(НДЄ). Енергетична картина структур досліджувалася за допомогою релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів. Було проведено чисельне моделювання вольт-фарадних залежностей, де параметрами були температура та концентрація квантових точок, що описує ефект НДЄ та добре співпадає з експериментальними результатами.