ФІЗИЧНІ ПРОЦЕСИ, ЩО ЗУМОВЛЮЮТЬ ПОВЕДІНКУ СТРУМУ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ n-ZnO/p-Si, СТВОРЕНИХ ВЧ МАГНЕТРОННИМ РОЗПИЛЕННЯМ - Хомяк, В. В. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2018)
Нанесенням тонких плівок ZnO на р-Si підкладки методом реактивного високочастотного магнетронного розпилювання при різних температурах вирощування і співвідношеннях парціальних тисків кисню та аргону створено гетероструктури n-ZnO/p-Si. Регулювання кількості кисню в період зростання дає можливість контрольовано керувати фізичними властивостями тонких плівок ZnO, включаючи і гетеропереходи n-ZnO/p-Si. Вольт-амперні характеристики створених структур володіли чітко вираженими випрямляючими властивостями. Для з’ясування фізичних процесів, що зумовлюють поведінку струму при прямому і зворотному зміщеннях, побудовано та проведено аналіз зонних енергетичних діаграм, створених електричних переходів.