ВИЗНАЧЕННЯ ВИСОТИ БАР’ЄРА КОНТАКТІВ Ni - НАПІВПРОВІДНИК ФОТОЕЛЕКТРИЧНИМ МЕТОДОМ - Махній, В. П.; Березовський, М. М.; Склярчук, В. М.; Сльотов, О. М. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2018)
Аналізуються спектри фотоструму структур, отриманих вакуумним напиленням напівпрозорих шарів Ni на хімічно травлених підкладках ряду напівпровідників (Si, GaAs, GaP, CdTe та ZnSe) n-типу провідності. Всі структури володіють фоточутливістю в області енергій фотонів менших за ширину забороненої зони напівпровідника при освітленні як зі сторони нікелю, так і зі сторони підкладки. Ці обидві спектральні ділянки побудовані в фаулерівських координатах призводять до однакових значень висоти потенціального бар’єру для кожного з досліджуваних контактів Ni-напівпровідник.